5
PACS: 71.20.Nr, 61.72.U- ВЛИЯНИЕ ГАММА ОБЛУЧЕНИЙ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРИСТАЛЛА TlGaTe 2 Н.М. Мехтиев 1,2 , А.А. Бабаева 1 1
Институт Радиационных Проблем НАНА
2
Azerbaijan State Oil and İndustry University
nizami-mehdiev@rambler.ru, arzubabayeva2402@gmail.com
В данной работе исследованы вольт-амперных характеристик (ВАХ) кристаллов TlGaTe 2 до и после облучения гамма квантами. Изучено влияния ионизационного облучения на электропроводность, ВАХ этих кристаллов и было показано, что облучение γ -квантами приводит к образованию радиационных дефектов приводящих к усилению компенсации и ча- стичному залечиванию структурных дефектов при малых дозах облучения. Ключевые слова: Облучения, гамма кванты, радиационные дефекты, слоистые полу- проводники Введение Полупроводниковые кристаллы TlGaTe
2
принадлежат к классу соединений группы
А
3
В
3
С
6
, кристаллизующихся в тетрагональной пространственной группе D
4h
18
(структурный
тип ТlSe). Этот класс соединений по своим физическим и технологическим свойствам явля-
ются перспективным материалом для использования в оптоэлектронной технике.
Характерной особенностью кристаллов указанного выше типа является то, что они
представляют собой цепочки Ga – Te вытянутые вдоль тетрагональной оси
с кристалла.
Тетрагональная ось является оптической осью. Одновалентные атомы Tl
+
имеют окто-
эдрическое окружение атомами Te.
Эксперименты и выводы Из исследования электропроводности и вольт-амперных характеристик (ВАХ) кристаллов
TlGaTe
2
1
для ширины запрещенной зоны, было получено значение 1,2 эВ. При исследовании
нелинейной области ВАХ наблюдали вольтовые осцилляции, которые продолжались неопреде-
ленно долго. Частота осцилляций была в пределах нескольких Герц, имела хаотический характер
и менялась со временем. ВАХ при двух геометриях электрического поля (Е
с и Е
с) было измере-
но при различных температурах в пределе напряжении 0
20В.
На Рис. 1. и Рис. 2. представлены вольтамперные характеристики (ВАХ) кристаллов
TlGaTe
2
при различных температурах и двух геометриях эксперимента, относительно тетра-
гональной оси «с», параллельно и перпендикулярно ей.
