Qann diodları. Bu yarımkeçirici cihazlar bircinsli struktura (p-n- keçidsiz) malik olan cihazlardır. Qann diodunun sabit cərəyanda çəkilmiş VAX-ı adi rezistorun xarakteristikası ilə analojidir. Bu diodların xarakteristikası tezlikdən asılıdır və müəyyən İYT diapazonda düşən sahəyə malikdir. Bu sahədə diodun müqaviməti mənfidir. Diodun volt-amper xarakteristikasının düşən sahəsi İYT diapazonda bəzi yarım-keçirici materiallarda yüksək elektrik sahə gərginliklərində baş verən daxili proseslərlə bağlıdır. Qann diodları İYT – diapazonlu rəqslərin generasiyası və gücləndirilməsi üçün istifadə olunurlar.
Yuxarıda qeyd olunduğu kimi diodun işarələnməsi zamanı birinci element (rəqəm, yaxud rəqəm) – onun hazırlandığı ilkin yarımkeçirici materialı, ikinci (hərf) - alt sinfini, üçüncü (rəqəm) – əsas funksional imkanlarını, dördüncü (ədəd) – işlənmə ardıcıllığını, beşinci element (hərf) – eyni texnologiya üzrə hazırlanan eyni markadan olan cihazın təsnifatını (parametrlərinə görə növlənməsini) işarə edir.
