Infraqizil va oq nurlarni sezuvchi fotosezgichlar

Andijon mashinasozlik inistituti. elektrotexnika fakulteti k.96.21 gurux talabasi to’ranazarov xayrullo

Mavzu:Fotodatchiklarning muqobil energiya manbalari qurilmalarida qo‘llanilishi.

Infraqizil va oq nurlarni sezuvchi fotosezgichlar
Zamonaviy elektronika va optoelektronikada kichik quvvatli infraqizil nurlarni sezuvchi va qayd qiluvchi fotopriyo‘mniklarni yaratish muommosining yechimini hal qilish dolzarb masalalardan hisoblanadi. Bunday fotopriyo‘mniklardan texnikani turli sohalarida keng qo‘llash imkoniyatlari mavjud. Infraqizil nurlarni sezuvchi yaratiladigan fotopriyo‘mniklardan masofadan boshqarish qurilmalarida, tibbiyotda haroratni o‘lchash va kasallikni aniqlovchi tamograflarda, tungi ko‘rish qurilmalarida Quyosh energiyasining tarkibini o‘rganish va nazorat qilishda turli obyektlarni qo‘riqlashda hamda yong‘in xavfsizligini nazorat qilishda samarali foydalanish mumkin. Ko‘plab yarim o‘tkazgich materiallar asosida yaratilgan, fotoqarshilikni o‘zgarishi hisobiga ishlydigan infraqizil nur fotopriyo‘mniklarni kichik quvvatdagi infraqizil nurlarni sezish imkoniyatlari cheklanganligi tufayli ulardan turli sohalarda keng foydalanib bo‘lmaydi.
Ayniqsa integral yorug‘lik mavjudligida infraqizil nurlarni seza oladigan fotopriyo‘mniklar kam va ularni sezgirligi yaxshi emas. Kunduzi integral yorug‘lik mavjudligida qo‘shimcha kichik quvvatli infraqizil nurlarni seza oladigan fotopriyo‘mniklarni yaratishda kompensatsiyalangan kremniyda kuzatilgan fotoo‘tkazuvchanlikni infraqizil nur ta’sirida so‘nishi effektidan foydalanish mumkin.
Tajriba natijasida aniqlangan hamda ilmiy xulosalar asosida kompensatsiyalangan kremniy materialini nisbatan past haroratda (T=77÷200 K) integral nur bilan yoritib, fotoo‘tkazuvchanlikning ma’lum turg‘un qiymatiga olib kelib, so‘ngra qo‘shimcha infraqizil nur ta’sir etilsa, tushayotgan fotonlar energiyasining hν=0,4÷0,6 eV oralig‘ida fotoo‘tkazuvchanlikni so‘nishi kazatiladi. Fotonlar energiyasining ta’sirida fotoo‘tkazuvchanlikni so‘nishi 104÷106 ni tashkil etdi. Bunday sezgirlik hozirda mavjud bo‘lgan yarim o‘tkazgich materiallar asosida yaratilgan biron-bir fotopriyo‘mnikda kuzatilmagan.

Taklif etilayotgan infraqizil nur fotopriyo‘mnik T=77÷200 K oralig‘ida tashqi elektr maydon kuchlanganligini E=10÷50 V/sm qiymatida ishlay oladi. Fotopriyo‘mniklarni fotonlar energiyasini sezishi hν=0,4÷0,8 eV oralig‘ida bo‘lib, nisbatan katta qiymatdan integral fon mavjudligida foton energiyasining quvvatini kichik I=10-9÷10-5 Vt/sm2∙s qiymatlari oralig‘ida infraqizil nurni seza oladi. Infraqizil nur energiyasining bunday kichik quvvatini seza oladigan o‘ta sezgir fotopriyo‘mniklar hozirda mavjud emas.

• Taklif etilayotgan infraqizil nur fotopriyo‘mnik T=77÷200 K oralig‘ida tashqi elektr maydon kuchlanganligini E=10÷50 V/sm qiymatida ishlay oladi. Fotopriyo‘mniklarni fotonlar energiyasini sezishi hν=0,4÷0,8 eV oralig‘ida bo‘lib, nisbatan katta qiymatdan integral fon mavjudligida foton energiyasining quvvatini kichik I=10-9÷10-5 Vt/sm2∙s qiymatlari oralig‘ida infraqizil nurni seza oladi. Infraqizil nur energiyasining bunday kichik quvvatini seza oladigan o‘ta sezgir fotopriyo‘mniklar hozirda mavjud emas.

Fotorezistor - yarim o’tkazgich fotoelektrik asbob bo’lib, bunda foto o’tkazuvchanlik hodisasi qo’llaniladi, ya’ni optik nurlanish ta’sirida yarim o’tkazgichni elektr o’tkazuvchanligi o’zgaradi.

Fotorezistor - yarim o’tkazgich fotoelektrik asbob bo’lib, bunda foto o’tkazuvchanlik hodisasi qo’llaniladi, ya’ni optik nurlanish ta’sirida yarim o’tkazgichni elektr o’tkazuvchanligi o’zgaradi.

Ishchi kuchlanishi - ishchi kuchlanish qiymati fotorezistor o’lchamlariga bog’liq, ya’ni elektronlar orasidagi masofaga bog’liq ravishda 1-1000 V gacha tanlanadi.

Kompensatsiyalangan kremniy materiali asosida taklif etilgan infraqizil nur fotopryomniklarini yaratilish texnologiyasining soddaligi kam energiya talab qilishi, spektral sezgirligining kengligi va harorat qiymatini katta oralig‘ida ishlay olishi tufayli hozirgi elektronika keng ishlab chiqarish mumkin.

Shuni ta’kidlash kerakki, fotorezistorlarning kattaliklari, tashqi muhit ta’sirida o’zgaradi. Fotorezistorlar afzalligi: yuqori sezgirligi, nurlanishning infraqizil qismida qo’llash mumkinligi, o’lchamlari kichikligi va doimiy tok va o’zgaruvchan tok zanjirlarida qo’llash mumkinligi.
Fotodiod deb yarim o’tkazgichli fotoelement asbob bo’lib, bitta elektron- kovakli o’tishga va ikkita chiqishga egadir. Fotodiodlar ikki xil rejimda ishlashi mumkin: 1) tashqi elektr energiya manbaisiz (fotogenerator rejimida); 2) tashqi elektr energiya manbai yordamida (fotoo’zgartgich rejimida).

Foydalanilgan adabiyotlar.

1. M. K. BAXODIRXONOV, N. F. ZIKRILLAYEV, X. M. ILIYEV “Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” Toshkent 2022.
2. YUNDP, Toshkent, 2007. – 92 bet. Bolotov A.V. Texnologii ispolzovaniya energii vetra. Mirovыe tendensii.
3. NOANA’NAVIY VA QAYTA TIKLANUVCHI ENERGIYA MANBALARI. MAJIDOV T. SH. Toshkent, 2014. – 177 bet..