Iv-bob. Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilmani tadqiq qilish

4.3 Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilma prinsipial sxemasini ishlab chiqish.

Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilmani yaratish uchun quyidagi asosiy mikrosxema va tranzistorlardan foydalanilgan:

1) K554SA3, K155La3, K155ID1, K155TM2 va K155IE2 mikrosxemalari.
2) KT315I, KT626A, KT801, KP303J va KT368A tranzistorlari.
4.3-rasmda qurilmaning uzatuvchi bloki prinsipial sxemasi keltirilgan. U boshqaruvchi generator, trigger, chastota bo‘luvchisi, eksponensial funksiya generatori va eksponenta modulyatoridan tashkil topgan. Boshqaruvchi generator K155 LA3 mikrosxema asosida tayyorlangan bo‘lib, kerakli apmlitudali, =1000 Gs, chastotali to‘g‘ri burchakli qarama-qarshi fazalar ishlab chiqaruvchi , K155TM2 mikrosxema asosida tayyorlagan triggerga kelib tushadi. Triggerdan chiqqan signal chastota bo‘luvchisiga beriladi.
Chastota bo‘luvchisi ketma-ket ulangan uchta bir xil K155IE2 turdagi mikrosxemalardan qurilgan. Xar bir mikrosxema K=10 bo‘lish koeffitsientiga ega. Umumiy bo‘lishkoeffitsienti K=1000 ga teng. Kerakli chastota (K=10 Gs) qaytalanishi bilan to‘g‘ri burchakli impulslar chastota bo‘luvchisi chiqishidan R₂C_2­ differensiallovchi zanjir orqali eksponensial funksiya generatori kirishiga beriladi.
VT₁ va VT2 tranzistorlar ochiladi. S₃ kondensator kichik vaqt mobaynida zaryadlanib olishga ulgiradi, chunki =R₂C₂ S₃ kondensator to‘liq zaryadsizlanib olishiga ketadigan vaqt bo‘yicha tanlangan. VT₂ tranzistor yopilgandan so‘ng S₃ kondensator R₅ qarshilik orqali zaryadsizlana boshlaydi. Natijada S₃ kondensatorda kichrayuvchi eksponensial impulps xosil bo‘ladi. Bu eksponensial impulps VT₃ tranzistordan tuzilgan elementar qaytargich yordamida tok bo‘yicha kuchaytiriladi. Rezistor R₆ eksponensial impulps yakunlovchi qismini buzilishini oldini olishga belgilangan.
VT₃ chiqishidan kuchaytirilgan eksponensial impulps R₈ rezistor orqali elementar qaytargich VT₄ ga uzatiladi. Elementar qaytargichga VT₆ tranzistordan tashkil topgan modulyator ulangan. Bu modulyator emitter qaytargich kirishini shuntlaydi, natijada emitter qaytargich chiqishida diskret eksponensial impulps shakllanadi. Bu impulps amplitudasi vaqt o‘tishi bilan eksponensial qonun bo‘yicha o‘zgaradi. Xosil bo‘lgan diskret eksponensial signal (kerakli amplitudagi) emitter qaytargichlar VT₄ va VT₅ bilan tok bo‘yicha kuchaytiriladi va chegaralovchi rezistor R₁₃ orqali tayanch nur diodi ND₁ ga uzatiladi. To‘ldiruvchi diskret eksponensial impulslar T trigger chiqishidan VT₇ tranzistor kirishiga tushadi. Natijada VT₇ va VT₈ tranzistorlar ochiladi, xamda VT₈ tranzistor kollektorida kerakli amplitudagi to‘g‘ri burchakli impulpsli xosil bo‘ladi. Bu impulslar VT₉ emitter qaytargichdan tok bo‘yicha kuchaytirilib, chegaralovchi rezistor R₂₀ orqali o‘lchovchi ND₂ ga uzatiladi. ND₁ va ND₂ nur diodlaridan chiquvchi tayanch va o‘lchovchi nur oqimlari nazorat oboektidan o‘tib foto qabul qilgich foto rezistor orqali qabul qilinadi.
Fotorezistor bu oqimlarni fotoelektrik signalga aylantiradi va kam shovqinli kuchaytirgich VT₁₀ ga yuboradi. VT₁₀ chiqishidagi fotoelektrik signal K544SA3 mikrosxemadan tayyorlangan kirish qurilmasiga uzatiladi. Bu qurilma chiqishida to‘g‘ri burchakli impulslar shakllanadi. To‘g‘ri burchakli impulslar differensiallovchi zanjir R₂₈S₇ dan o‘tib, K155LA3 mikrosxema asosida tayyorlangan solishtirish sxemasining kirishlaridan biriga tushadi. Uning boshqa kirishiga K155LA3 mikrosxema asosida tayyorlangan ikkinchi differensiallovchi qurilma chiqishidagi to‘g‘ri burchakli impulslar kelib tushadi. Natijada DD_6.2 mikrosxema chiqishida metan gazi konsentratsiyasiga proporsional bo‘lgan impulslar seriyasi shakllanadi. Bu impulslar radiouzatgich kirishiga beriladi. Radiouzatgich VT17 tranzistoriga yig‘ilgan. Natijada radiouzatgich chiqishida son jixatdan metan konsentratsiyasiga proporsional bo‘lgan impulslar seriyasi chastota bo‘yicha modulyatsiyalashgan o‘ta yuqori chastotali elektr signaliga aylantiriladi. Bu signallar uzatuvchi antena yordamida efirga uzatiladi. Efirga tarqatilgan elektromagnit to‘lqinlari ma’lum masofadan so‘ng qabul qiluvchi antana QA yordamida qabul qilinib elektr signaliga aylantiriladi va VT tranzistoriga qurilgan o‘ta yuqori chastotali kuchaytirgichda kuchaytirilib D1 va D2 diodlariga qurilgan chastota detektoriga beriladi. Natijada metan konsentratsiyasiga proporsional bo‘lgan impulslar seriyasi tiklanadi. Chastota detektorida tiklangan impulslar K155 IE2 mikrosxemasiga qurilgan xisoblagich kirishiga beriladi. Xisoblagichga yozilgan impulslar K155 ID1 mikrosxemasiga qurilgan deshifratoda o‘nli kodga o‘zgartiriladi va mos indikatorlarga beriladi. Indikatorlarning ko‘rsatishiga qarab metan konsentratsiyasi aniqlanadi.

4.3-rasm. Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilmaning nur manbayi qismining prinsipial sxemasi.

4.4-rasm. Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilma prinsipial sxemasi.

4.5-rasm. Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilmaning radio qabul qilgich qismining prinsipial sxemasi



4.6-rasm. Ishlab chiqarish korxonalari xududlarida zaharli gazlar konsentratsiyasini aniqlovchi elektron qurilmaning xisoblagich qismi prinsipial sxemasi.