Йарымкечириъи диодларын тяснифаты

4.1.2. İkinci deşilmə. Tranzistorların elə ilk praktiki istismarı zamanı onlarda izahı verilə bilməyən imtinalar baş verirdi. Güclü tranzistorların yaranmasından sonra bu vəziyyət daha da kəskinləşmişdi. Yalnız 1958-ci ildə ilk dəfə olaraq “ikinci deşilmə” adlandırılan bu effektin təsviri verilmişdir.
İkinci deşilməyə xarakterik olan cəhət kollektor cərəyanı artdıqda kollektor və emitter arasındakı gərginliyin kəskin olaraq azalmasıdır.
İkinci deşilmə çox vaxt tranzistorun bağlanması zamanı doyma rejimindən kəsmə rejiminə keçmə prosesində yaranır. Kollektor cərəyanının xarici dövrələrlə məhdudlaşdırılması da ikinci deşilmə zamanı tranzistorun sıradan çıxmasının qarşısını almır.

Şək.4.4.

İkinci elektrik deşilməsi olduqca mürəkkəb prosesdir. Bu deşilmənin əsas səbəbi kimi elektrik sahə gərginliyinin lokal artmasını yaradan emitterdəki cərəyanın qeyri-bərabər paylanmasını göstərirlər. Hansı ki, sonradan istilik deşilməsinə çevrilən selvari deşilmə yaradır. Bunun nəticəsində hətta yarımkeçiricinin əriməsi baş verə bilər.

Güc tranzistorlarının təhlükəsiz iş oblastını seçərkən ikinci deşilmənin xarakteri mütləq nəzərə alınır. Çox vaxt güc tranzistorunun iş rejiminin təhlükəsiz iş oblastından kənara çıxmasına yol verməmək üçün ona əlavə mühafizə dövrələri qoşulur.
Böyük yük cərəyanı olan sxemlərdə iki, yaxud daha çox güc tranzistorlarının paralel qoşulmasından istifadə edirlər. Tranzistorlardan hər hansı birinin artıq yüklənməsinin qarşısını almaq üçün hər bir tranzistorun emitter dövrəsində rezistor qoşulması məqsədə uyğun hesab edilir.


GÜC UNİPOLYAR (SAHƏ TRANZİSTORLARI)
Mühazirənin planı
1. Təyinatı və strukturu: təsnifatı
2. Güc Sahə tranzistorunun işləmə prinsipi (FET).
3. Bağlayıcısı izolə edilmiş sahə tranzistorları - MOSFET
4. İnduktivləşmiş N-kanallı MOSFET-in işləməsi.
5. İnduktivləşmiş N-kanallı MOSFET-in VAX-ı
Unipolyar tranzistorlarda cərəyan ancaq bir növ yükdaşıyıcılarla keçirilir, həm də cərəyan elektrik sahəsi ilə idarə olunur. Bunlara həmçinin kanal tranzistorları da deyilir, çünki cərəyan müəyyən keçirici kanal boyunca axır. Sahə tranzistorlarında üç çıxış olur: mənbə, mənsəb və idarəedici (və ya rəzə, sürgü). Bunların hər üçü metal elektrodlardır. (şəkil 1). Mənbə ilə mənsəb arasında yarımkeçirici kristal yerləşdirilir. Bu keçirici kanal adlandırılır. Cərəyan “mənbə–keçirici kanal–mənsəb” boyunca keçməlidir. Rəzə keçirici kanaldan keçən cərəyanı idarə etmək üçündür. Lakin, rəzə ilə kanal arasında cərəyan keçməməlidir. Odur ki, rəzə keçirici kanaldan təcrid olunmalıdır. Bunun üçün iki üsul tətbiq edilir. 1–ci halda rəzə ilə kanal arasında p–n keçid yaradılır və ona əks gərginlik tətbiq edilir. Belə tranzistorlar idarəedici p–n keçidli və ya sadəcə sahə tranzistoru adlandırılır. Keçirici kanal həm n–, həm də p–tip ola bilər. Beləliklə, 2 növ sahə tranzistoru var. Şəkil 2–də sahə tranzistorlarının şərti işarələri göstərilmişdir.






Şəkil 2. Sahə tranzistorların şərti işarələri

2–ci halda isə r əzə ilə kanal arasında nazik dielektrik təbəqəsi yerləşdirilir. Belə tranzistor rəzəsi təcrid olunmuş və ya MDY tranzistor adlandırılır. Əksər hallarda MDY tranzistorlarda dielektrik kimi SiO₂ təbəqəsi götürülür və onlar MOY tranzistor adlandırılır. MDY və ya idarəedicisi izolə edilmiş tranzistorlar öz növbəsində iki növ olur: hazir kanallı və induksiya olunmuş kanalı tranzistorlar. Hər iki halda kanal n– və ya p–tip ola bilər. Beləliklə cəmi dörd cür MDY tranzistor mövcuddur (şəkil 3).

Burada şaquli bütöv xətlərlə hazır kanal, qırıq xətlərlə induksiyalanmış kanal göstərilmişdir. Həm bipolyar, həm də sahə tranzistorları yük ilə idarə olunur. Lakin, bipolyar tranzistorlarda yükün özü elektrik cərəyanı ilə, sahə tranzistorlarında isə gərginliklə idarə olunur. Bipolyar tranzistorlarda iki, sahə tranzistorlarında isə bir elektrik keçidi olur. Hər iki tranzistor həm açar kimi, həm də gücləndirici kimi işləyə bilər.