Kokanduni uz

Foydalanilgan adabiyotlar ro‘yxati:
1. 
Патент
РУз
№IAP 05322 от
14.12.2016. 
Усилитель напряжения с динамической 
нагрузкой / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М. 
2. Abdulaziz Karimov, Bekzod Kamanov, Dilbara Yodgorova, Akhmad Rakhmatov, Alim 
Khakimov, Oybek Abdulkhaev. A High Gain JFET Amplifier 327 with Dynamic Load // 2020 
International Conference on Information Science and Communications Technologies (ICISCT) 
| 978-1-7281-9969-
6/20/$31.00 ©2020 IEEE | DOI: 10.1109/ICISCT50599.2020.9351499 
3. Yodgorova D.M., Karimov A.V., Mavlyanov A.Sh. // 
С
ontrolling mechanisms of space-
charge region in compound field-effect transistors. WJERT 01.04.2018 www.wjert.org P. 31-
35
4. Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В. 
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляяющим р
-n-
переходом при различных режимах включения // Физическая инженерия поверхности. 
PSE, 2012, т. 10, № 2. С. 230
-235
5. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Гиясова Ф.А. 
Фототранзистор составной на полевых транзисторах // Физическая инженерия 
поверхности. 
PSE, 2012, 
т. 10, № 2. С
.226-229. 

---

56
www.
kokanduni.uz 
CURRENT TRANSFER IN p-Si
–
n-(Si
2
)
1-x
(GaN)
x
 HETEROSTRUCTURE 
 
Zhuraev Asom Kuylibayevich
 Second-year student of information security Nurafshon branch of TUIT 
 
Abstract:
This paper presents the results of a study on the growth of substitutional solid 
solutions (Si
2
)
1-x
(GaN)
x
on single-crystal Si (111) substrates by liquid-phase epitaxy from a 
limited volume of a tin solution-melt in a hydrogen medium and the current-voltage 
characteristic (CVC) of p-Si-n-(Si
2
)
1-x
(GaN)
x
structures.