ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ
INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KOMMUNIKACIYALARÍN RAWAJLANDÍRÍW MINISTRLIGI
MUXAMMED AL-XOREZMIY ATINDAǴÍ
TASHKENT INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ UNIVERSITETI NÓKIS FILIALÍ
« Kompyuter injineringi » fakulteti
«Kompyuter injineringi» baǵdari
II kurs 301-21topar studenti
Keńesbaeva Dilfuzanıń
« ELEKTRONIKA HÁM SXEMALAR 2 »
páninen
2-LABORATORIYA JUMISI
Tayarlaǵan ________________ D.Keńesbaeva
Qabıllaǵan _________________ E.Umirzakov
Nókis – 2023
2 - laboratoriya jumısı
Tema: Bipolyar Tranzistorda (BT) jasalǵan Uliwmalıq Emitter (UE) kúsheytgish sxemasın izertlew.
Jumıstıń maqseti: Ulıwmalıq Emitter (UE) jalǵanıw sxemasında bipolyar tranzistorlardıń (BT) tiykarǵı statikalıq xarakteristikaları hám parametrlerin izertlew, xarakteristikalardı ólshew hám tájiriybe nátiyjelerin qayta islew usılı menen tanısıw.
2.1. Tájiriybe ótkeriwge tayarlanıw :
Kerekli formulalar:
2. 1-súwret
BT kirisiw xarakteristikaları shańaraǵı 2.1 a- suwretde, shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵı 2.1 b-suwretde keltirilgen.
2.2. Laboratoriya jumısın orınlaw ushın tapsırma:
Tranzistor dúzilisi hám shegaralıq parametrleri menen tanısıp shıǵıń, tranzistor haqqındaǵı maǵlıwmatlardı jazıp alın, ólshew ushın keste tayarlań.
Kirisiw hám basqarıw xarakteristikaları
2.1-keste
EB
|
V
|
0.829
|
0.24
|
0.08
|
UBE
|
V
|
0.085
|
0.729
|
0.804
|
IB
|
mkA
|
-7659
|
-2028
|
-2848
|
Ik
|
mA
|
0.39
|
0.24
|
0.171
|
2. 3-súwret
2. 3 - suwretde keltirilgen ólshew sxemasın jıynań. Tranzistor tsokoliniń sxeması
2.3 - suwretde keltirilgen. Rezistor qarsılıqları R1= (2-10 ) kOm hám R2= (210 -1000 ) Om.
Dostları ilə paylaş: |