«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant

n-tipli aralashmali yarim o’tkazgichlar

Sof yarim o’tkazgichga boshqa element atomlari kiritilishi yoki sof yarim o’tkazgich kristali ustirilayetganda shu elementni ortiqcha atomi yoki kam atomi hosil bo’lishi yoki mexaniq ta’sirlar natijasida darzlar yoki disloqatsiyalarni yuzaga kelishi aralashmali yarimo’tkazgichni yuzaga keltiradi. Aralashmalar sabab bo’lgan yarim o’tkazgichlar utkazuvchanligiga aralashmali utkazuvchanlik deyiladi.

Aralashmali yarim o’tkazgichning Elektr utkazvchanligi keskin uzgaradi. Masalan: kremniyga 0.001 atom foiz fosfor kiritilsa, xona tempiraturasidagi karshiligi sof kremniynikidan 100.000 marta kam bo’ladi. Shunga uxshash agar, kremniyga 0,001 atom % bor kiritilsa uning utkazuvchanligi sof kremniynikiga nisbatan 1000 marta oshadi.

Yarim o’tkazgichlarning aralashmali utkazuvchanligini ular atomlarining kovalent boglanishi va zonalar nazariyasi asosida qarab chikamiz.

Sof yarim o’tkazgichga boshqa element atomlari kiritilib hosil kilingan aralashmali yarim o’tkazgichlarnigina urganamiz. Aytaylik 4 valentli Ge atomi 5 valentli As atomi bilan almashtirilgan bo’lsin. (Sof Ge kristaliga juda oz miqdorda As atomlari kiritilgan bo’lsin) (b-rasm).

Bunda mishyak atomi (As) 4 ta kushni Ge atomi bilan kovalent boglanishda ishtiroq etib 1 ta Elektroni kovalent bogda ishtiroq kila olmay, ortiqcha bo’lib koladi va kristall panjarani Issiqlik tebranishlarida juda oson ajraladi va kristall ichida xaotik harakatlanuvchi erkin Elektronga aylanadi. (a-rasm). Bunda atomlar orasidagi kovalent boglanish buzilmaydi, demak teshik hosil bo’lmaydi.

3. 
   Bipolyar taranzistorlarning dinamik xarakteristikasi
   

Bipolyar tranzistorlarni statik xarakteristikalari va fizik parametrlari
Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo‘yilmagan holda o‘rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o‘zaro bog‘liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma’lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‘lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin.
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib U_KB = const bo‘lgandagi I_E= f (U_EB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa U_KE = const bo‘lgandagi I_B=f(U_BE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (25- rasm).
Rasmlardan ko‘rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o‘zgarishi kirish xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma’nosi shundaki, kollektor o‘tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo‘ladi. Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi.