Kuchaytirgichlarning asosiy parametrlari va xarakteristikalari
Kuchaytirgich odatda signalni kuchaytirishdan tashqari uning shaklini ham o‘zgartiradi. Kirish va chiqish signallari shaklining normadan og‘ishi – buzilishlar deb ataladi. Ular ikki turda bo‘lishi mumkin: nochiziqli va chiziqli.
Kuchaytirgich odatda signalni kuchaytirishdan tashqari uning shaklini ham o‘zgartiradi. Kirish va chiqish signallari shaklining normadan og‘ishi – buzilishlar deb ataladi. Ular ikki turda bo‘lishi mumkin: nochiziqli va chiziqli.
Barcha kuchaytirgichlar volt – amper xarakteristikalari (VAX) nochiziqli bo‘lgan tranzistorlardan tashkil topadi. Bipolyar tranzistor VAX to‘g‘ri chiziq emas, balki eksponenta shakliga ega. Shu sababli, sinusoidal shaklga ega bo‘lgan kirish signali kuchaytirilganda, chiqishdagi signal shakli qisman sinusoidal ko‘rinishga ega bo‘ladi. Chiqish signali spektrida kirish signalida mavjud bo‘lmagan boshqa chastotaga ega bo‘lgan tashkil etuvchilar (garmonikalar) paydo bo‘ladi. Bu turdagi buzilishlar nochiziqli deb ataladi.
Darlington juftligi
Tarkibiy tranzistorlar. Kaskadlarning kuchaytirish koeffisiyentlari va kirish qarshiliklari uchun ifodalarni tahlil qilib, ularning maksimal qiymatlari UE ulangan sxemada tranzistorning differensial tok uzatish koeffisiyenti N21E=v bilan aniqlanadi deb xulosa qilish mumkin. I21E ning real qiymatlari tranzistor tuzilmasi va tayyorlanish texnologiyasi bilan aniqlanadi va odatda bir necha yuzdan oshmaydi. Bundan asosan operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlarida qo‘llaniladigan, maxsus superbeta tranzistorlar mustasno.
Bir nechta (odatda ikkita) tranzistorni o‘zaro ulab I21E qiymatini oshirish muammosini hal qilish mumkin. Ulanishlar shunday amalga oshirilishi kerakki, tranzistorlarni yagona tranzistor deb qarash mumkin bo‘lsin. Bir turli tranzistorga nisbatan sxemalar birinchi marta Darlington tomonidan taklif etilgan edi, shuning uchun Darlington juftligi yoki tarkibiy tranzistori deb ataladi.
Ikkita n-p-n tranzistor asosidagi Darlington tranzistori 4.1 -rasmda keltirilgan bo‘lib, bu yerda B, E, K - ekvivalent tranzistor elektrodlari.
Tarkibiy tranzistorda natijaviy tok v2 lar bir xil qiymatga ega bo‘lsa, masalan 100 ga, hisoblab topilgan koeffisiyent v= v1 v2 = 104 uzatish koeffisiyenti alohida tranzistorlar tok uzatish koeffisiyentlarining ko‘paytmasiga teng. Agar ftj va bo‘ladi. Lekin, bir xil VT1 va VT2 larda fij va v2 koeffisiyentlar IK1 va IK2 kollektor toklari bir xil bo‘lgandagina bir -biriga teng bo‘ladi. I^»Im=I^ bo‘lgani uchun IK2 >> IK1. Shuning uchun j3j<< fi2 va v= v1 v2 amalda bir necha mingdan oshmaydi.
Tarkibiy tranzistorlar turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlar asosida ham hosil qilinishi mumkin. Bunday tuzilmalar qo‘shimcha simmetriyaga ega bo‘lgan tarkibiy tranzistorlar deb ataladi.
Barqaror tok generatori
Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma barqaror tok generatori (BTG) deb ataladi. Yuklamadan oqayotgan tokning qiymati kuchlanish manbai, zanjir parametrlari va temperatura o‘zgarishlariga bog‘liq bo‘lmaydi.
BTGning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish toki qiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladilar.
Barqaror tok generatori yoki manbai (BTG) katta nominalga ega bo‘lgan rezistorning elektron ekvivalenti hisoblanadi. BTG qarshiligi RYu yuklamaga ketma – ket ulangan maksimal bo‘lishi mumkin bo‘lgan qarshilikdan ancha katta bo‘lishi kerak. Bu vaqtda BTG yuklamadan kattaligi uning qarshiligi va boshqa ta’sirlarga bog‘liq bo‘lmagan tok oqib o‘tishini ta’minlaydi. Ma’lumki, qarshiligi birlik MOm ga teng bo‘lgan rezistorlarni integral sxema ko‘rinishida yasash mumkin emas.
Bu yerda Yu elementi nochiziqli yuklama, Ye1 – barqarorlangan kuchlanish manbaini bildiradi. Rezistor R0, hamda diod ulanish sxemasidagi VT1 tranzistor VT2 tranzistor sokinlik rejimini ta’minlash va barqarorlash uchun hizmat qiladi.
Bu yerda Yu elementi nochiziqli yuklama, Ye1 – barqarorlangan kuchlanish manbaini bildiradi. Rezistor R0, hamda diod ulanish sxemasidagi VT1 tranzistor VT2 tranzistor sokinlik rejimini ta’minlash va barqarorlash uchun hizmat qiladi.
VT2 uchun ishchi nuqta uning chiqish xarakteristikasining pologoy qismida joylashadi (UB sxyemadagi BT chiqish xarakteristikasi rasmiga qarang). UB ulanish sxemasida tranzistor juda katta chiqish differensial qarshiligiga ega bo‘ladi (birlik MOm gacha). Ulanish sxemasiga ko‘ra ikkala tranzistorning ham baza – emitter kuchlanishlari UBE bir xil bo‘ladi. IB2 toki IE2 tokidan yuz martaga kichik. Shu sababli, bu tokni hisobga olmasak, IE1 IE2 ga teng bo‘ladi, demak I2= I1. Natijada I2 chiqish toki I1 tokni aks ettiradi. I2 toki deyarli VT2 tranzistor kollektor o‘tishidagi kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaganligi sababli, Ye2 kuchlanish yoki yuklamadagi qarshilik qiymatlari o‘zgarsa ham bu tok qiymati deyarli o‘zgarmas qoladi.
