Laboratoriya ishi №12 Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish Ishdan maqsad



Yüklə 434,01 Kb.
tarix15.08.2023
ölçüsü434,01 Kb.
#139439
Laboratoriya ishi

LABORATORIYA ISHI № 12




Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish


Ishdan maqsad: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.

1-qism. Kirish xarakteristikalar oilasini o‘lchash:




  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi




  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

1-jadval


Ukb=0

IEb(mA)

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-12

-14

UEb

0

-0,992

-0,969

-0,933

-0,882

-0,818

-1,742

-1,653

-1,547

-1,436

-1,313

-1,029

-0,731

Ukb=2V

IEb(mA)

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-12

-14

UEb

0

-1,999

-1,969

-1,99

-1,882

-1,822

-1,744

-1,655

-1,57

-1,443

-1,32

-1,047

-0,733






  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning chiqish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati



2-jadval



IE=-4mA

Ik,(mA)

0

1

2

2,5

3

4

-

-

-

-

-

-

-

UKB,V

-0,992

-0,969

-0,933

-0,882

-0,992

-0,969






















IE=-8mA

Ik,(mA

0

1

2

2,5

3

4

5

6

7













UKB,V

-0,992

-0,969

-0,933

-0,882

-0,992

-0,969

-0,818

-1,742

-1,653













IE=12mAA

Ik,(mA

0

1

2

2,5

3

4

5

6

7

8

9

10

11,9

UKB,V

0

-1,999

-1,969

-1,99

-1,882

-1,822

-1,744

-1,655

-1,57

-1,443

-1,32

-1,047

-1,999




Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IE=f(UEB) bunda UKB=0 va 2 V.


Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKB) bunda IE=-4;-8 va -12mA
4. h parametrlarni hisoblash:
1. h11B parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:



Bu yerda





2. h12B parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash


;



3. h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:







4. h21B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:
h22B








Xulosa
Men bu laboratoriya ishini qilish jarayoida Bipolyar tranzistorning volt-amper xarektristakasini tadqiq qilishni o’rgandim.Birinchi qismda tok kuchini o;zgartirib Ueb ning qiymatlari hisoblandi.Natijalar asosida bog’lanish grafigi Excel dasturi yordamida chizildi.Bundan tashqari har bir parametrning qiymatlari hisoblab topildi.
Yüklə 434,01 Kb.

Dostları ilə paylaş:




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin