Mavzu: yarim o‘tkazgichli diodlar

Shottki to‘sig‘ili diodlar kuchlanishmanbai qayta ulagichlarida keng tarqalgan, chunki ular qayta ulanish ishchi chastotasini 100 kGts va undan yuqoriga orttirishga, radioyelektron apparatura og‘irligi, o‘lchamlarini kichraytirishga va kuchlanishmanbai FIK oshirishga imkon yaratadilar. Shottki to‘sig‘imetallni yarim o‘tkazgich bilan kontakti natijasida hosil qilinadi. Yarim o‘tkazgichmaterial sifatida ko‘p hollarda n–turdagi kremniy,metall sifatida esa Al, Au, Mo va boshqalar qo‘llaniladi. Bu vaqtdametall chiqish ishi kremniy chiqish ishidan katta bo‘lishi talab qilinadi. Bunday diodlarda diffuziya sig‘imi nolga teng, to‘siq sig‘imi esa 1 pF dan oshmaydi.


3.2. Stabilitronlar


Stabilitron - yarim o‘tkazgichli diod bo‘lib, uning ishlash printsipi r-n o‘tishga teskari kuchlanish berilganda elektr teshilish sohasida tokning keskin ortishi kuchlanishning uncha katta bo‘lmagan o‘zgarishiga olib kelishiga asoslangan. Stabilitronning shartli belgisi 3.1.b –rasmda keltirilgan. Stabilitron sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun ishlatiladi.
Stabilitronning asosiy parametri bo‘lib, tokning I_ST.min dan I_ST.max gacha keng o‘zgarish oralig‘ida barqarorlash kuchlanishi U_ST hisoblanadi (3.1 a- rasm).
Stabilitron VAX sidagi ishchi soha elektr teshilish sohasida joylashadi. Barqarorlash kuchlanishi diod bazasidagi kiritma kontsentratsiyasi bilan aniqlanadigan r-n o‘tishga bog‘liq. Agar yuqori kontsentratsiyaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgich qo‘llanilsa, u holda r-n o‘tish tor bo‘ladi va tunnel teshilish kuzatiladi. U_ST ishchi kuchlanishi 3-4 V dan oshmaydi.
Yuqori voltli stabilitronlar keng r-n o‘tishga ega bo‘lishi kerak, shuning uchun ular kuchsiz legirlangan kremniy asosida yasaladilar. Ularda ko‘chkisimon teshilish sodir bo‘ladi, barqarorlash kuchlanishi esa 7 V dan ortmaydi. U_ST 3 dan 7 V gacha bo‘lgan oraliqda teshilishning ikkalamexanizmi ishlaydi. Sanoatda barqarorlash kuchlanishi 3 dan 400 V gacha bo‘lgan stabilitronlar ishlab chiqariladi.

3.1 - rasm

Stabilitronning elektr teshilish sohasidagi differentsial qarshiligi r_D barqarorlash darajasini xarakterlaydi. Bu qarshilik qiymati dioddagi kichik kuchlanish o‘zgarishi qiymatining diod toki o‘zgarishiga nisbati bilan aniqlanadi (3.1 a- rasm). r_D qiymati qancha kichik bo‘lsa, barqarorlash shuncha yaxshi bo‘ladi.

Stabilitronning asosiy parametri bo‘lib barqarorlash kuchlanishining temperatura koyeffitsiyenti (KTK) hisoblanadi. KTK – bu temperatura bir gradusga o‘zgarganda barqarorlash kuchlanishining nisbiy o‘zgarishi. Ko‘chkisimon teshilish kuzatiladigan kichik voltli stabilitronlar odatdamusbat KTKga ega. KTK qiymati odatda 0,2 -0,4 % /grad dan oshmaydi.