Maydoniy tranzistorlar (MT) Reja

15.5-§. Kanali qurilgan MDYa - tranzistorlar
15.7 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.
Agar U_ZI = 0 bo‘lganda U_SI kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta’sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‘allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi kambag‘allashish rejimi deb ataladi.
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta’sir ettirilsa, hosil bo‘lgan elektr maydoni ta’sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o‘tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi.
Ko‘rib o‘tilgan jarayonlar 15.7 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: U_SI=const bo‘lgandagi I_S= f (U_ZI) bilan ifoda-langan.
0 bo‘lganda tranzistor boyish rejimida, 0 bo‘lganda esa kambag‘allashish rejimida ishlaydi.

a) b)
15.7 – rasm. n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b)
Boyish rejimida stok xarakteristikalari U_ZI = 0 da olingan boshlang‘ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag‘allashish rejimida esa – pastda joylashadi (15.8 b- rasm).

a) b)
15.8 – rasm.a) statik stok – zatvor xarakteristika, b) boyish rejimi stok xarakteristikalari
S, Ri va statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (15.4), (15.5) va (15.6) ifodalardan mos ravishda aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‘ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig‘imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‘rsatkichlarga ega. R_ZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‘lib 10¹²-10¹⁵ Om ni tashkil etadi. Elektrodlararo sig‘imlar qiymati S_ZI, S_SI lar uchun -10 pF dan, S_ZS uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko‘rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.
Mustahkamlash uchun savollar.

1. 
   Maydoniy tranzistorni vazifasini tushuntiring?
   
2. 
   MT shartli belgilanisgi qanday?
   
3. 
   Zatvor nima?
   
4. 
   Stok nima?
   
5. 
   MT deffirentsial qarshiligi?
   
6. 
   MT asosiy parametrlarini tushuntiring?
   
7. 
   MTlarda kambag’allashish va boyish rejimi?
   
8. 
   Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistorlar tarifi?