Maydonli tranzistorlar

Tranzistor orqali utuvchi tok nolga teng yoki ma’lum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-istok kuchlanishi ajratish kuchlanishi deb ataladi. R-kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish musbat bulib, odatda 0,2-7 В oraligida bo‘ladi. Keyingi yillarda maydonli tranzistorlar ikki zatvorli qilib chikarilmokda.

• 
  Tranzistor orqali utuvchi tok nolga teng yoki ma’lum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-istok kuchlanishi ajratish kuchlanishi deb ataladi. R-kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish musbat bulib, odatda 0,2-7 В oraligida bo‘ladi. Keyingi yillarda maydonli tranzistorlar ikki zatvorli qilib chikarilmokda.
  
• 
  Ikkinchi zatvor ko‘pincha birinchi zatvorga ulab quyiladi va u kanalni pastki tomonidan cheklaydi. Maydon tranzistorning chikish VAX i quyidagicha bo‘ladi. Bu xarakteristikani bipolyar tranzistorniki bilan solishtirilsa, ularning uxshash ekanligini kurish mumkin.
  

Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar.

• 
  Bu maydonli tranzistorda zatvor asosiy kanaldan dielektrik bilan ajratilgan. Tranzistorda zatvor metalldan qilingan bulib, yarim o‘tkazgichdan dielektrik bilan ajratilgan. Shu sababli metall, dielektrik va yarim o‘tkazgichdan iborat struktura hosil bo‘ladi. Kupgina hollarda dielektrik sifatida oksidlardan foydalaniladi. Shunga kura ba’zan tranzistorni MOP tranzistor ham deb ataladi. Zatvori izolyatsiyalangan maydon tranzistorlari ikki xilda ishlab chikariladi: ichiga kanal urnatilgan tranzistor va induktsiyalangan kanalli tranzistor.
  

• 
  Kanal urnatilgan tranzistorning tuzilishi quyidagi (a- rasm)da keltirilgan. Bu tranzistorda istok va stok oraligida diffuziya usuli bilan n-tipli kanal hosil kilinadi. Zatvorga manfiy potentsial berilganda kanalda musbat zaryadlar induktsiyalanadi va zaryadlarga « kambagal » zona hosil bulib kanalning solishtirma qarshiligi oshadi. Manfiy potentsial Uзи.а м ga yetganda istok va stok oraligidagi tok tuxtaydi, Tranzistorda urnatiladigan kanal r-tipli bulishi mumkin.Bunda istok va stok oraligidagi tokni kamaytirish uchun zatvor va istok oraligiga musbat kuchlanish beriladi. Kanal urnatilgan-MDP tranzistorlar ko‘pincha kanal zaryadlarga kambagallashgan rejimlarda ishlatiladi. Bu rejimda ishlagan MDP tranzistorining xarakteristikasi р-n utishli tranzistornikiga uxshash bo‘ladi
  

• 
  Kovaklarning xarakatchanligi elektronlarning xarakatchanligiga nisbatan kichik bulganligidan р-kanalli tranzistorlarning ishlash tezligi n-kanalli tranzistorlarnikiga nisbatan sekinrok bo‘ladi. Shu sababli р-kanalli tranzistorlarga nisbatan, n-kanalli tranzistorlar ko‘prok bo‘ladi. Shu sababli р-kanalli tranzistorlarga nisbatan, n-kanalli tranzistorlar ko‘prok ishlatiladi. Integral sxemalarda ishlatiladigan MDP tranzistorlar bundan mustasno. Ularda bir-birini tuldiruvchi n va р-kanalli tranzistorlar ishlatiladi. Bunday MDP tranzistorlar komplementar tranzistorlar deb ataladi.
  

• 
  Induktsiyalangan r-kanalli maydonli tranzistorning VAX ida AV oralik chiziqli soxa, VD coxa tuyinish soxasi deb yuritiladi. Ic ning kuchlanishga boglikligi chiziqli soxada
  
• 
  Ic = k[2(Uзи- Uзич)Uси- U2cи]Ucи<Uзи__Uзич
  
• 
  tuyinish soxasida Ic =h[2(Uзи- Uзич)2]Uзи__Uзич<Uси
  
• 
  formulalar orqali ifodalanishi mumkin. Proportsionallik koeffitsiyenti tranzistor-ning konstruktsiyasi, ulchamlari va utkazuvchi kanal konstruktsiyasiga boglik bo‘ladi.