Maydonli tranzistorlar

Maydonli tranzistorlar
Tranzistor 1948-yilda amerikalik olimlar U. Shokli, D. Bardin, U. Bratteyn, tomonidan ixtiro qilingan. Tranzistor so’zi inglizcha trans-uzatish va resistor- qarshilik degan so’zlaridan olingan bo’lib, qarshilikni uzatish degan maʻnoni anglatadi. Ular barcha Elektronika va signallarni qayta ishlash qurilmalarining asosini tashkil etadi. Tranzistor elektr signallarini kuchaytirish generatsiyalash va boshqa ko’pgina maqsadlarda qo’llaniladi.
Tranzistorlar tuzilishi va ishlash tamoyiliga qarab biqutbiy (bipolyar) va unipolyar (maydon) tranzistorlarga bo’linadi. Unipolyar tranzistorlar maydon tranzistorlari deb ham ataladi. Bipolyar tranzistorlarni ishlashi p – n o’tish hodisasiga, maydon tranzistorlarining ishlashi esa bir turdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan Yarim o’tkazgichning o’tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishga asoslangan.
Bipolyar tranzistor deb 2 ta o’zaro taʻsirlashadigan p – n o’tishdan tashkil topgan yarim o’tkazgichli asbobga aytiladi. U Yarim o’tkazgich kristalida 2 ta p – n o’tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Tranzistorni o’tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Bipolyar tranzistorlar strukturasiga qarab p
– n – r va n - p – n turli tranzistorlarga ajratiladi. 3 qatlamdan tashkil topgan tranzistorning har bir sohasining nomi bor: chap chekka soha emitter deb, o’ng chekka soha kollektor deb o’rtadagi soha esa baza deb ataladi (8.1-rasmga qarang).

8.1-rasm.

p – n – r tranzistorni to’g’ri n - p – n tranzistorni esa teskari tranzistor deb atash qabul qilingan. Bu tranzistorlarning ishlash tamoyili bir xil bo’lib, faqat elektr sxemaga ulanishi bilan farqlanadi. p – n – r tranzistorda asosiy tok tashuvchilar kovaklar, n-p-n tranzistorda asosiy tok tashuvchilar elektronlar hisoblanadi.Tranzistorlar radiosxemada ishlatilganda uning elektrodlaridan biri zanjirning kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy bo’lgan simga, korpusga ulangan bo’ladi. Shunga ko’ra tranzistorlarni uch xil ulanish sxemasi mavjud.
Umumemitter (UE) ulanish sxemasi Umumbaza (UB) ulanish sxemasi Umumkollektor (UK) ulanish sxemasi
Bu ulanishlar ichida UB sxema tranzistorlarning xususiyatlarini tekshirishda eng qulay hisoblanadi. Shuning uchun tranzistorlarning asosiy kattaliklari va tavsifnomalari Shu sxema asosida tekshiriladi va qolgan ikki ulanish sxemasiga tadbik etiladi. 8.2-rasmda tranzistorning UB sxemasida ulanishi tasvirlangan. endi

tranzistor yordamida elektr signalini kuchaytirish printsipi bilan tanishaylik. Rasmda p–n–r tranzistorni umumiy baza bo’yicha ulanish sxemasi keltirilgan. Tranzistorda 2 ta p–n o’tish mavjud. Birinchi p–n o’tish emitter, baza o’rtasida, ikkinchisi esa baza – kollektor o’rtasida joylashgan. Shuning uchun tranzistorni ikkita bir-biriga qarama-qarshi ulangan 2 ta dioddan tashkil topgan qurilma deyish ham mumkin. YOki yuqorida taʻkidlanganidek, tranzistorni 2 ta r-n o’tishdan tuzilgan asbob deyish mumkin. Birinchisi emitterli p–n o’tish, ikkinchisi esa kollektorli p–n o’tish deyiladi.
^RH


8.2-расм. Транзисторнинг электр манбаига УБ схемасида уланиши.

Sxemadan ko’rish mumkinki, birinchi p–n o’tishga to’g’ri kuchlanish, ikkinchi p–n o’tishga teskari kuchlanish qo’yilgan. Teskari kuchlanishning qiymati, to’g’ri kuchlanish qiymatiga qaraganda bir necha marta katta. To’g’ri kuchlanish taʻsirida p–n o’tish orqali emitterdan baza tomon kovaklar oqimi asosiy tokni hosil qiladi.

Bu tokni ^IЭ - emitter toki deyiladi. emitterda asosiy tok tashuvchilar – kovaklardir.
Kovaklar bazaga o’tgach, qisman bazadagi asosiy tok tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalashadi. Odatda tranzistorni yasash vaqtida baza qalinligi boshqa sohalarga qaraganda yupqa qilib yasaladi. Shuning uchun emitterdan bazaga o’tgan kovaklarning taxminan bir foizigacha bazadagi elektronlar bilan rekombinatsiyalashadi. Kovaklarning qolgan qismi hech qanday qarshilikka uchramay bazadan kollektorga o’tadi. Maʻlumki 2 - p – n o’tishga teskari kuchlanish

berilgan. Bu kuchlanish taʻsirida kovaklar bazadan kollektorga o’tib,
^I_k - kollektor

tokini hosil qiladi. Yuqoridagi mulohazalarga asoslanib kollektor tokini taxminan
emitter tokiga teng deyish mumkin. ( ^I _k ^{ I} _э ). Agar tranzistorning emitter
zanjiridagi kuchlanish biror qonuniyat asosida o’zgarib tursa, unga mos ravishda
emitter tokining qiymati ^Iэ ham o’zgaradi. emitter tokining o’zgarishi esa, kollektor

tokining o’zgarishiga olib keladi. Kollektor zanjirdagi