Mo-sajonova-muqaddam pdf

Δi ^{u =const}
=

^B , ^KE bo’lganda
Δi_К

=

21 E
^ΔiB , ^uKE=const bo’lganda

^h12 E
Δu_BE

Δu ^{i =const}
=
^КE , ^B bo’lganda

^h22 E
Δi_К

Δu i =const
=
^КE , ^B bo’lganda

h- parametrlar formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).

Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi.

3.2-rasm Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun

_{u_BE<U_BO'Sbo'lganda−i_B=0ҳ _¿¿¿¿
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa

_r{
^uKE
i_К=¿

К.TO'Y

, U_КE<U

КE.ТO'Y

, (to' y.−rejimi) _¿¿¿¿

U_BO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,

r
r ≈r '_B
^KIR - tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ^KIR ),
^{rК .ТO ' Y} - to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).

^r К . ТO ' Y
Δu <sub>КE

Δi</sub> i =const u < U
=
К _, ^B _va ^{КE КE .ТO ' Y}

r
¿
^К - aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
Δu
_r¿ ₌ КE _|

^К Δi_К
^iB=const va ^{uКE<U КE .ТO ' Y} bo’lganda

Xulosa.

Bu labaratoriya ishidan biz, UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlari bilan tanishib chiqdik. Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishdik. Tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oldik, o’lchash uchun jadval tuzib chiqdik. O’zgarmas kuchlanish qiymatida tranzistorning kirish va boshqarish xarakteristiklarini ko’rib chiqdik. Baza, emitter va kollektorlarning vazifalarini o’rgandik. Aktiv, berk va to’yinish sohalari haqida tushunchaga ega bo’ldik.