Mo-sajonova-muqaddam pdf

Xulosa.

Laboratoriya ishini bajarishdan avval sxema, o’lchash usullari, qo’llaniladigan o’lchov asboblari bilan tanishib chiqdik. Ochiq holatda yarim o’tkazgichli dioddan ma'lum miqdorda to’g’ri tok oqib o’tishini, bu holat yarim o’tkazgichli diodga to’g’ri kuchlanish berish natijasida ta’minlanishini ko’rib chiqdik.

3- LABORATORIYA ISHI

UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.

1. 
   Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
   

Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki ^iB va kollektor – emitter kuchlanishi ^uКE tanlanadi, shunda:


_{u_EB=f ₍i_B,u_КE)¿¿¿¿
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan.

1. 
   b)
   

3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
^u_EB^{= f} ₍ⁱ_{B ) ,} u_КE=const _bo’lganda
ⁱ_К ^=f ₍^u_{КE ) ,} i_B=const _bo’lganda
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda ^{IBт , UBEт , I Km ,U КEт iB (0)} va ^{U КE (0 )} qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
^{UBEт^=h11^IBт^+h12^UКEт ^¿¿¿¿

yozish mumkin, bu erda


^h11 E


h
Δu_BE