Muhammad Al-Xorazmiy nomida Toshkent Axborot texnologiyalari universiteti

Muhammad Al-Xorazmiy nomida Toshkent Axborot texnologiyalari universiteti

Mavzu: Integral mikro sxemalarni chiqish kaskadlari.

Bajardi: Axmatxonov Azizxon

Guruh:041-21

Reja:

1. 
   Integral mikro sxemalar.
   
2. 
   Kaskadlar.
   
3. 
   Kuchaytirgichlarda kaskadlarning ishlatilishi.
   
4. 
   Integral mikrosxemalarning kaskadlari.
   
5. 
   Xulosa
   
6. 
   Foydalanilgan adabiyotlar.
   

1. Kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlari (ChK) yuklamada 0,01÷1000 Vt bo‘lgan yetarlicha katta quvvatni ta’minlashi zarur. ChKlari kuchlanish manbaining asosiy quvvatini iste’mol qiladilar. Shuning uchun, FIKni oshirish maqsadida sokinlik rejimida (ya’ni signal bo‘lmagan holda) kaskadning toki nolga yaqin bo‘lishi maqbul.

Emitter qaytargich turdagi bir taktli ChKlar A sinf rejimida va FIKning kichikligi sababli chiqish quvvatining kichik qiymatlarida ishlaydi.
Chiqish quvvati katta ChKlarda faqat ikki taktli kuchaytirgich kaskadlar ishlatiladi. Bunday kuchaytirgichlar V va AV sinf rejimlarida tranzistorlarning ketma-ket ishlashi bilan ta’minlanadi.



1.-rasm. V sinfiga mansub ikki taktli kuchaytirgich sxemasi

Sxemada absolyut qiymatlari teng + Yem va - Yem ikki qutbli kuchlanish manbalari ishlatilgan. Sokinlik rejimida EO’larda kuchlanish nolga teng bo‘lgani uchun ikkala tranzistor berk bo‘lib, kuchlanish manbaidan energiya sarflanmaydi.

Kirishga U_KIR ning musbat yarim davri berilganda VT1 ochiladi va yuklama orqali I_E1 tok oqib o‘tadi. Manfiy yarim davrda VT2 ochiladi va I_E2 tok yuklamadan qarshi yo‘nalishda oqib o‘tadi.
Quvvat kuchaytirilishi faqat tok kuchaytirilishi hisobiga amalga oshib, emitter va baza toklari nisbatiga teng, ya’ni β+1 bo‘ladi. Kuchaytirgichning maksimal FIK η = 78,5 % ni tashkil etadi.

1.2.-rasm. V sinf kuchaytirgichlardagi nochiziqli buzilishlar

1.3.-rasm. AV sinfiga mansub ikki taktli kuchaytirgich sxemasi

VT1 va VT2 chiqish tranzistorlarini boshqaruvchi kuchlanishni hosil qilish uchun kuchaytirgichda VT3 asosidagi qo‘shimcha kaskad ishlatilgan. U UE sxemada ulangan.

Rezistor R chiqish toki bo‘yicha ketma – ket MTA zanjirini hosil qiladi. U kaskad ish rejimini barqarorlaydi. Bundan tashqari, VT3 tranzistor butun ChK kuchaytirish koeffitsientini oshiradi. R qarshilik qiymati shunday tanlanadiki, A nuqta potentsiali, sokinlik rejimida nolga teng bo‘lsin. VD1 va VD2 diodlar VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil bo‘lgani uchun V nuqta potentsiali (sokinlik rejimida kaskadning ChK kuchlanishi) ham nolga teng bo‘ladi.
VT1 va VT2 tranzistorlar ikki taktli tok kuchaytirgichning yelkalarini tashkil etadi. Kirish kuchlanishining har bir yarim davrida yuklama toki kuchaytirgichning o‘z yelkasi bilan hosil qilinadi.
VT4 va VT5 tranzistorlar VT1 va VT2 tranzistorlarni o‘ta yuklanishdan saqlash uchun xizmat qiladi. VD1 va VD2 diodlar BTG bilan birgalikda AV sinf ish rejimini ta’minlash uchun siljitish zanjirlarini hosil qiladi. Siljitish zanjirlari VT1 va VT2 tranzistorlarga emitter – baza kuchlanishlarni berish uchun xizmat qiladi.
BTG toki I₀ signal mavjud bo‘lmaganda, diodlardagi kuchlanish pasayishi kichik bo‘ladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 hamda VT4 va VT5 tranzistorlar deyarli berk holatda bo‘ladi.
Kaskadning chiqish qarshiligi amalda VT2 yoki VT1 tranzistorlarning to‘g‘ri siljigan EO’lari qarshiligiga teng, ya’ni juda kichik bo‘ladi.
VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funktsiyalari quyidagicha amalga oshadi. Normal ish rejimida ular berk. Katta signalda yoki chiqish tasodifan kuchlanish manbaining elektrodlaridan biriga qisqa tutashganda VT4 va VT5 tranzistorlardan biri ochiladi va natijada himoyalovchi VT1 yoki VT2 tranzistorlar baza tokining bir qismi oqadi va shu bilan VT1 va VT2 tranzistorlarning emitter – baza o‘tishi shuntlanadi. Bu ularni o‘ta yuklanishdan saqlaydi.
Integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar.