Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshifiliali ttva ki fakulteti

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHIFILIALI TTva KI FAKULTETI

KI-11-21s GURUH TALABASI
BOYNAZAROV TOHIRNING
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2
FANIDAN
Labaratoriya-3

Savollar
1. транзисторларни тушунтиринг.

2. Умумий базали схема бўйича уланган транзисторнинг чиқиш характеристикасини олиш схемасини тушунтиринг.
3.АЧХ нима?
4.ФЧХ нима1.?
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnitrele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
Yaratilish tarixi[tahrir | manbasinitahrirlash]
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi MayklFaradey yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik hodisasini aniqladi.
1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz fizigi UilyamIkklz baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi.
Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham kelishgan.
Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.
Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan.

• 
  Ummumiy baza ulanishli bipolyar tranzistorli bir kaskadli kuchaytirgichlar tahlili Umumiy bazali sxema odatda yuqori chastotalarda qo‘llanadi. Tranzistorning bunday ulanish sxemasining quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti umumiy emitterli sxemaga qaraganda kichik bo‘ladi.Tranzistorning umumiy bazali ulanishi (__-sxema). Tranzistorning umumiy bazali ulanishi sxemasining kirish qarshiligi sifatida tranzistorning emitter qarshiligi xizmat qiladi, shuning uchun umumiy bazali ulanishi sxemasining kirish qarshiligi kichik bo‘ladi. Uning kirish qarshiligi barcha ulanish sxemalaridan eng kichigi hisoblanadi, lekin bu sxema uchun bu kamchilik hisoblanmaydi.Umumiy bazali sxemaning amplituda-chastotaviy xarakteristikasi barcha ulanish sxemalari ichida eng keng polosali hisoblanadi, shuning uchun u yuqori c( ___- sxema)da signallarni kuchaytirgich sifatida qo’llaniluvchi umumiy bazali tranzistorlaming ulanish sxemasi keltirilgan. Bunday ulanish sxemasida tranzistor tok bo‘yicha kuchaytirmaydi, ammo kuchlanish va quvvat bo'yicha kuchaytira oladi. Kirish qarshiligi𝑅𝑘𝑖𝑟 kichik, chiqish qarshiligi 𝑅𝑐ℎ𝑖𝑞 esa katta. Bu kirish qarshiligini signal generatori qarshiligi bilan moslashtirish vaqtida qiyinchilik keltirib chiqaradi, shuningdek yuklama zanjirida quvvatni oshirish ham qiyin kechadi. Umumiy bazali sxema amalda kam qo’llaniladi. Uning asosiy qo‘llanish sohasi - signal shakli kam buzilishli shovqin darajasi past yoki yuqori chastotalarda ishlovchi yuqori sifatli kuchaytirgichlarda qo‘llaniladi. Signal manbayi (SM) bu sxemada emitter zanjiriga, yuklama qarshiligi 𝑅𝑦𝑢 kollektor zanjiriga ulanadi.
  
• 
  Umumiy bazali (UB) tranzistoming ulanish sxemasi quyidagi xarakteristikalar oilasiga ega: - chiqish 𝐼𝐾= f (𝑈𝐾𝐵) emitter. toki o‘zgarmas bo’lganda 𝐼𝐸 = const; - kirish 𝐼𝐸 = f (𝑈𝐸𝐵) kuchlanish𝑈𝐾𝐵= const o'zgarmas bo‘lganda; (___sxema)da umumiy bazali (UB) tranzistoming ulanish sxemasi chiqish xarakteristikalari ko‘rsatilgan Sxemaning chiqish xarakteristikalarida uchta sohani ajratish mumkin: I soha — kollektor toki 𝐼𝐾 ning kuchlanish 𝑈𝐾𝐵 ga kuchli bogManish sohasi. U ordinata o‘qidan chaproqda joylashgan. Kollektor va baza orasidagi kuchlanish : 𝑈𝐾𝐵=-𝑈𝐾-𝑈𝐾𝐵 ′ , (____) Bunda 𝑈𝐾 - p-n o‘tishdagi kuchlanish; 𝑈𝐾𝐵 ′ — tashqi kuchlanish. Kuchlanish 𝑈𝐾𝐵 ′ =0 bo’lganda emitter toki 𝐼𝐸 > 0 bo‘lsa, kollektor toki 𝐼𝐾 > 0 bo‘ladi, shuning uchun kollektor tokini kamaytirish uchun 𝑈𝐾𝐵 ′ ning musbat qiymati berilishi kerak, ya'ni kollektor emitter rejimiga o‘tkazilishi kerak. U holda kovaklar ,oqimi o‘zaro kompensatsiyalanadi va kollektor toki 𝐼 𝐾 nolga teng bo‘ladi.
  
•