Namangan davlat universiteti fizika fakulteti fizika yo

Ichki fotoeffekt

1. Ichki fotoeffekt;

2. Ichki fotoeffektning kvant chiqishi;
3. Fotoo’tkazuvchanlik uchun asosiy xarakteristik munosabat;
4. Yarimo’tkazgichlarning fotoo’tkazuvchanligi:
5. Fotorezistorlar, fotoelementlar;
6. o’tishdagi fotoeffekt;
7. Dember effekti;
8. Fotomagnitoelektr effekt (Kikoin-Noskov effekti);
9. Fotoelementlar, fotoqarshiliklar;
10. Ichki fotoeffekt asosida ishlaydigan fotoelementlar.


11-rasm.


1.Ichki fotoeffekt: Ma’lumki, yorug’lik ta’sirida modda sirtidan elektronlarning ajralib chiqishi va ularning boshqa muhitga, xususan vakuumga o’tish hodisasi fotoelektron emissiyasi deyiladi, hodisaning o’zi esa tashqi fotoeffekt deb ataladi. Bundan tashqari, ichki fotoeffekt deb ataladigan hodisa ham borki, u yarimo’tkazgichlarda va dielektriklarda kuzatiladi. Yarimo’tkazgichlar va dielektriklar tomonidan yorug’likning yutilishi turli xil kvazizarrachalarning –elektronlar, teshiklar, fononlar va boshqalarning tug’ilishiga olib keladi. Bu hodisalarning barchasini ichki fotoeffekt singari qarash mumkin. Biroq, fotoeffekt deyilganda faqat zaryad tashuvchilar – o’tkazuvchanlik elektronlarining va teshiklarining yorug’lik tufayli tug’ilishi nazarda tutiladi. Bunda ikki xil hodisalar: fotoo’tkazuvchanlik va foto - EYK ning paydo bo’lishi ro’y berishi mumkin. Ichki fotoeffektni 1873 yilda birinchi bo’lib, amerikalik fizik U.Smit selenni yorug’lik bilan yoritganda, uning qarshiligi o’zgarishini kuzatgan. Ichki fotoeffektda optik jihatdan uyg’otilgan elektronlar yoritilgan jism ichida qolaverib jismning elektr neytralligini buzmaydi. Bunda moddadagi zaryadlarning konsentratsiyasi yoki ularning harakatchanligi o’zgaradi, natijada tushayotgan yorug’lik nuri ta’sirida moddaning elektr xususiyatlari o’zgaradi.
Ichki fotoeffekt faqatgina yarimo’tkazgichlar va dielektriklarda bo’ladi. Bunday fotoeffektni bir jinsli yarimo’tkazgichlarni yoritganda ularning o’tkazuvchanliklari o’zgarishidan aniqlash ham mumkin. Fotoo’tkazuvchanlik deb ataladigan bu hodisa asosida yorug’lik qabul qilgichlar, ya’ni fotorezistorlarning katta guruhi kashf qilingan va muttasil mukammallashtirilmoqda. Fotorezistorlarda asosan kadmiy selenidi va sul’fidi qo’llaniladi.