Naxçivan döVLƏt universiteti 1967

ƏDƏBİYYAT  
1.
 
М.Г.  Мильвидский,    В.Б.  Уфимцев.    Полупроводниковые    материалы    на    современном 
этапе развития твердотельной электроники // Неорган. материалы, 2000, т.36, №3, с. 360-
368 
2.
 
Я.А. Угай.  Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, 302 с. 
3.
 
З.С. Медведева.  Халькогениды элементов ЫЫЫ Б подгруппы периодической системы. 
М.: Наука, 1968, 216 с.  
4.
 
Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под редакцией акад. РАН  Н.П. 
Лякишева, М.: Машиностроение, 1997, т.2, 1024 с. 
5.
 
М.И. Заргарова, М.М. Акперов.  Ликвидус тройной системы Ge-In-Te // Изв. АН СССР. 
журн. Неорган. материалы, 1973, т. 9, №7, с. 1138-1141 
6.
 
Е.И. Рогачева,  Н.М. Панасенко,  А.Н. Мелихова.  Исследование  системы ЭеТе- Iн
2
Те
3
 // 
Изв.АН СССР. журн. Неорган. материалы. 1974, т.10, №10, с. 1800-1804 













---

115 
 
7.
 
Y.N.  Babayev.  Qallium  (indium)  seskvitellurid-germanium  sistemlərində  qarşılıqlı  təsir 
xüsusiyyətləri //NDU-nun elmi əsərləri. Təbiət elmləri və tibb seriyası. 2015, №3(68), s. 82-85 
 
 
 
 
ABSTRACT 
 
In the article the alloys in the quarts ampules in the vaccum condition have been synthesized 
on  the  dual  systems  of  InTe-Ge,  In
2
Te
3
-Ge,  InGeTe
2
-Te,  InGeT
2
-In
2
Te
3
,  In
2
Te
3
-GeTe  which 
express  the  internal  sections  of  the  thickness  trianle  of  In-Ge-Te  directly  through  the  synthesis 
method, the samples have been brewed in the temperatures  below the crystalization end points. The 
alloys  have  been  studied  by  using  physical-chemical  analysis  methods  (differetial-thermical, 
microstructure  analysis,    Roentgen  phase  analysis,  appointment  of  the  microhardness  of  phases, 
appointment of the picnometric thickness of meltings), and corresponding case diagrams have been 
made. 
It  was established that the sections  of  InTe-Ge,  In
2
Te
3
-GeTe,  In
2
Te
3
-InGeTe
2
,  InGeTe
2
-Ge 
are of quazibinar and the sections of In
2
Te
3
-Ge, InGeTe
2
-Te are of polythermical character. There 
are narrow hard liquid fields on the dual and thriple combinations basis in all the systems that have 
been studied. Quazibinar sections are of simple evthectic type.  
 
Monovariant  and  non-variant  reactions  happening  on  the  liquidus  surface  of  the  thriple 
system have been established by summarizing literature materials on the tops of In-Ge-Te thickness 
triangle and 3 internal  sections and using specific research results on the 5 internal sections. It has 
been explored that there are thriple 6 evtectic points,12 crystalization fields and 2 layer fields in the 
form of liquid on the liquidus surface of the triangle system of In-Ge-Te.