Oddiy invertorli ttm. Murakkab invertorli va Shottki baryerli ttm. Integral-injeksion mantiq

Ikki kirishli Sheffer elementi (HAM-EMAS)

10.7.-rasm: HAM-EMAS MEning shartli belgilanishi
Integral injeksion mantiq
IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi

11.1.-rasm. IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi

Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan.

VT1 tranzistor kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi.
VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bо‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. IIM turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta’minlaydi. Bunday tok bilan ta’minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda о‘zgartirib uning tezkorligini о‘zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki
1 nA ÷ 1 mAgacha о‘zarishi mumkin, ya’ni VT1 tranzistor EО‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga о‘zgartirish mumkin.
IIM IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi, u о‘z navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanad.
n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning о‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bо‘lib hisoblanadi. Elementlarning bunday tayyorlanishi funksional integratsiya deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalarni izolyatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi.
IIM elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.



11.2.-rasm. IIM negiz elementning shartli belgilanishi