Yarim o’tkazgichlar o’tkazuvchanligining temperaturaga bog’liqligi. Temperatura ortishi bilan
metallarning
elektr
o’tkazuvchanligi
yomonlashadi va bunga sabab molekulalar
bilan ko’proq to’qnashishi natijasida
elektronlar
harakatchaligining
yomonlashishidir.
Garchi yarim o’tkagichlarda ham
temperature
ortishi
bilan
xuddi
metallardagidek
sabablarga
ko’ra,
elektronlarning va teshiklarning harakatchanligi yomonlashsa-da, u
muhim rol o’ynolmaydi. Chunki, yarim o’tkazgichlar qizishi bilan
valent elektronlarning kinetic energiyasi ortadi va ular man qilingan
zonadan o’ta olish xususiyatiga ega bo’lib qolishadi. Natijada erkin
elektronlarning
soni
ortib,
yarim
o’tkazgichning
elektr
o’tkazuvchanligi yaxshilanadi.
Shu bilan birga past temperaturalarda metallar va yarim
o’tkazgichlar orasida farq ortadi, chunki yarim o’tkazgichlarning
o’tkazuvchanligi yomonlashadi. Demak, past temperaturalarda yarim
o’tkazgichlar dielektriklarga o’xshab ketib, ular orasida farq
qolmaydi.
Yarim o’tkazgichlar o’tkazuvchanligining yoritilganlikka bog’liqligi. Yarim o’tkazgichlar yoritilganda elektr o’tkazuvchanligi
yaxshilanadi. Bunga sabab yorug’lik ta’sirida qo’shimcha zaryad
tashuvchilarning paydo bo’lishidir: Ular quyidagi jarayonlar natijasida
vujudga kelishi mumkin:
1) yetarli darajada katta energiyaga ega bo’lgan yorug’lik valent
zonadagi elektronni o’tkazish zonasiga o’tkazib qo’yadi. Natijada
erkin elektronlar va teshiklar soni ortadi, ya’ni yarim o’tkazgichning
xususiy o’tkazuvchanligi yaxshilanadi;
2) yorug’lik donor aralashmaga tushib, undagi elektronni
o’tkazish zonasiga o’tkazadi va erkin elektronlar soni ortadi;
3) yorug’lik valent zonadagi elektronni akseptor aralashmaga
chiqaradi va valent zonada qo’shimcha teshiklar paydo bo’ladi.
7.5-chizma
