Rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali " k I " fakulteti

---

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI 
RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT 
TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI
“ K I ” FAKULTETI
2 – BOSQICH TT-14-21 GURUH TALABASINING
ELEKTONIKA VA ELEKTRONIK SXEMALAR-2 FANIDAN TAYYORLAGAN
1-Mustaqil ishi
Bajardi:
TO’RAYEV. B
Qabul qildi:
Rustamova .M
Baho:
_______________

---

Mavzu:
Nosimmetrik DK sxemasi. Funksional elekronika, 
Bioelektronika haqida tushunchalar. 
Reja:
1.Nosimmetrik DK sxemalari.
2.DK sxemasi haqida.
3.Funksional elekronika.
4.bioelektronika haqida tushunchalar.
5.Bioelektronika sxemalari.

---

---

---

---

---

---

Funksional elektronika.
Elektronika rivojining tezkorlikni oshirishga yo‘naltirilgan alternativ yo‘llaridan biri
an’anaviy elementlardan chetlashishdan va katta massivga ega axborotlarga ishlov
berishda axborot tashuvchi sifatida qattiq jismdagi dinamik bir jinslimasliklardan
foydalanishdan iborat. Bu bir jinslimasliklar dinamik deb atalishiga sabab shundaki, ular
turli fizik hodisalar yordamida hosil bo‘ladi, siljishi, shaklini, holatini
o'zgartirishi, boshqa bir jinslimasliklar bilan ta ’sirlashishi mumkin.
IMSlarda komponentli tuzilishdan chetlashish va dinamik bir jinslikmaslilardan
foydalanishga asoslangan yo'nalish “funksional elektronika” nomini oldi.
Funksional elektronika (FE) rivojlanishining boshlang‘ich bosqichida turibdi. (FE) 
ning ko‘p qurilmalari mikroelektronikaning raqamli qurilmalari bilan ishlashga
moslashgan.
Ular birinchi navbatda yuqori tezkorlik va 105-H 0 7 bit sig‘imga ega xotira
qurilmalaridir.
Funksional elektronikaning eng istiqbolli ba’zi asboblari ishlash prinsiplarini ko‘rib
chiqamiz. Zaryad aloqali asbob (ZAA) yupqa dielektrik qatlam D bilan qoplangan va
yuzasiga 12 ta boshqaruvchi metall elektrodlartizimi joylashtirilgan yarimo‘tkazgich

---

kristaldan (masalan, p — turli) iborat. Shunday qilib, 12 ta MDY — tizim hosil qilinadi. 
Tizimlar soni
N elementlar orasidagi masofaga, yozuvchi impuls davomiyligiga bog’liq
bo‘ladi va N = 200 ga yetishi mumkin. Har bir elektrod kengligi 10-H2 mkm ni, ular
orasidagi masofa esa 2h-4 mkm ni tashkil etishi mumkin.
Barcha elektrodlarga bo‘sag‘aviy kuchlanish Ug berilganda dielektrik bilan yarim
o‘tkazgich orasida kambag‘allashgan soha hosil bo‘ladi, bu soha potensial chuqur deb
ataladi. Alohida elektroddagi kuchlanish qiymati axborotni saqlash kuchlanishi USAQ > 
U() gacha o‘zgartirilganda, ushbu elektrod ostidagi kambag‘allashgan soha
yarimo'tkazgichning boshqa yuzalariga qaraganda “chuqurroq” bo‘ladi. Potensial
chuqurda elektronlarni (paketini) to‘plash mumkin. Demak, M DY - tuzilma ma’lum
vaqtgacha potensial chuqurdagi zaryadga mos axborotni eslab qoluvchi element sifatida
xizmat qilishi mumkin. Elektron paket dinamik bir jinslikmaslikni tashkil etadi. Elektron
paketni saqlash jarayonida ma’lum elektrod (zatvor) ostida termogeneratsiya
Hisobiga qo‘shimcha elektronlar hosil bo‘lishi mumkin. Agar zaryad o‘zgarishining
ruxsat etilgan qiymati 1 % ni tashkil etsa, axborotni saqlash vaqti esa bir necha sekunddan
oshmaydi.

---

Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish
signali olinadigan yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda
kuchaytirishga DKning faqat bir yelkasi ishlaydi. Agar kirish signali
DKning bir yelkasiga berilgan boisa-yu, chiqish signali boshqa yelka
chiqishidan olinsa, birinchi holdagidek Kv ga ega bo'lgan,
inverslanmagan signal olinadi.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo ilab ham
oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda p — n o‘tish bilan
boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular
xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali p — n o ‘tish bilan boshqariladigan n — kanalli MTlar
asosidagi Dk ning an ’anaviy sxemasi keltirilgan. Tok belgilovchi BTG
VT3 tranzistor bilan Rl rezistor asosida hosil qilingan.

---