Azərbaycan respublikasi əlyazma hüququnda

Şəkil 1. Müxtəlif dozalarda qamma-kvantlarla şüalanmış GaS 
laylı kristalının fotokeçiriciliyinin spektral paylanması (Un>0;
Т= 77 К): 1-D
γ
=0, 2- D
γ
=50 krad; 3- D
γ
=200 krad. 
D 
D 
D 

---

13 
Disertasiyada apardığımız tədqiqata uyğun olaraq göstərilib ki, 
elektrik sahəsi U
n
<0 olduqda şüalanmış GaS nümunələrinin 
fotokeçiriciliyinin spektral asılılığı göstərilmişdir. Qeyd edək ki, 
bütün tədqiq olunan ilkin nümunələrdə FK-nin maksimumu λ
max
=490 
nm yaxınlığında müşahidə olunur. Şəkildən göründüyü kimi, elektrik 
sahəsi U
n
<0 olduqda FK-nın bütün spektral diapozonda azalır. 
qamma-kvantlarla 
D
γ
=50 
krad 
dozada 
şüalanma zamanı
fotokeçricilik spektrlərində məxsusi maksimumun vəziyyəti və 
spektrin forması U
n
>0 olduğu haldakı kimi qalır, bu zaman 
fotocərəyan nəzərə çarpmayacaq dərəcədə azalır. Daha sonra, 
şüalanma nəticəsində nümunələrin fotohəssaslığı azalır, bu da 
dozanın artması ilə tədqiq olunan nümunələrdə rekombinasiya 
mərkəzlərinin konsentrasiyasının artması ilə əlaqədardır. 
Alınmış nəticələrin müqayisəsi göstərir ki, xarici elektrik sahəsi 
U
n
<0 olduqda, nümunələrin udulma zolağında müşahidə olunan 
fotohəssaslığı şüalanma dozasının artması ilə eksponensial olaraq 
azalır, U
n
>0 olduqda isə artır. Müşahidə olunan FK-nın siqnalının 
elektrik sahəsinin qiyməti və istiqamətindən qeyri–monoton asılılığı 
GaS laylı kristalının səth hallarının real spektri ilə əlaqəsini fərz 
etməyə imkan verir. 
Tədqiqatların analizindən görünür ki, GaS:Yb kristalını 
qamma-kvantlarla şüalandırdıqdan sonra xarici elektrik sahəsinin 
təsiri nəticəsində fotokeçiricilik spektrlərində xarakter dəyişmələr 
müşahidə olunmur. Şəkildən görünür ki, p-GaS:Yb nümunələrində 
qamma-kvantlarla 50 krad doza ilə şüalanma zamanı FK spektrlərdə 
məxsusi maksimumun vəziyyəti və spektrin forması şüalanmaya 
qədər kristallarda olduğu kimi qalır, lakin U
n
>0 olduqda fotocərəyan 
artır. 
D
γ
>50 krad qiymətlərində dozanın artması ilə nümunələrdə 
fotocərəyanın
azalması müşahidə olunur. Müşahidə olunan fakt, bir 
daha göstərir ki, şüalanma dozasının yüksək qiymətlərində 
komplekslərin 
dissosasiyası 
nəticəsində 
defektlərin 
konsentrasiyasının 
artması 
hesabına 
fotoyükdaşıyıcıların 
rekombinasiya sürəti azalır və nəticədə nümunələrin fotohəssaslığı 
artır . 

---

14 
Beləliklə, laylı GaS kristallarında fotokeçiriciliyin aparılmış 
təcrübi analizi onu göstərir ki, kristalın səthində müxtəlif qeyri-
bircinslik olması səthin potensial relyefini dəyişdirir və onunla bağlı 
olaraq potensial çəpərin əyilməsi baş verir. Potensial çəpərin 
əyilməsi isə, akseptor və donor tipli mərkəzlərin elektron 
mübadiləsinə 
təsir göstərməsi hesabına udulma zolağında 
fotokeçiricilik dəyişir.
Şəkil 2-də udulma zolağında fotokeçiriciliyin xarici sahənin 
intensivliyindən asılılığı göstərilmişdir. 2 əyrisindən görünür ki, 
xarici 
elektrik 
sahəsinin 
E
xar
<10
2 
V/sm 
qiymətlərində 
fotokeçiricilikdə artım müşahidə edilmir.