Qo‘sh qutbli tranzistorlar ulanishining asosiy sxemalari

TARANZISTORLARNING UMUMIY BAZALI SXEMALARI

Tranzistorlar ulanishining uch asosiy sxemalari mavjud. Bunda tranzistorning elektrodlaridan biri kaskadga kirish va chiqish umumiy nuqtasi hisoblanadi. Esda tutish kerak, kirish (chiqish) deganida nuqtalar oralig‘ida kiruvchi (chiquvchi) o‘zgaruvchan kuchlanish borligi tushuniladi. Asosiy ulanish sxemalari umumiy emitterli (UE), umumiy bazali (UB) va umumiy kollektorli (UK) sxemalar deb nomlanadi.

15-rasmda umumiy emitterli (UE) sxema tasvirlangan. Bu sxema ko‘p tarqalgan, chunki quvvati bo‘yicha eng katta kuchayishni beradi.

15-rasm.

Tranzistorning kuchaytirish hususiyatlari uning asosiy parametrlardan birini ta’riflaydi. Bu baza tokining uzatish statik koeffitsiyenti yoki tok bo‘yicha  kuchaytirish statik koeffitsiyenti. U faqat tranzistorni o‘zini tariflash kerak bo‘lgani uchun, uni yuklash bo‘lmagan (R_k=o) rejimida aniqlashadi. Soni bo‘yicha u teng:

U_k-e = const bo‘lganida.
Bu koeffitsiyent o‘nlar yoki yuzlarga teng bo‘ladi, ammo haqiqiy (real) koeffitsiyent k_i, doim dan kam (kichik), chunki yuklanish ulanganda kollektor toki kamayadi.
Kuchlanish bo‘yicha K_k kaskadning kuchaytirish koeffitsiyenti amplitudali yoki o‘zgaruvchi kuchlanishni chiquvchi va kiruvchi miqdorlarining nisbatiga teng. Kiruvchi bo‘lib o‘zgaruvchan kuchlanish U_b-e, chiquvchi bo‘lib esa rezistordagi o‘zgaruvchan kuchlanish hisoblanadi, yoki o‘shani o‘zi bo‘lgan kollektor-emitter kuchlanishi. Baza-emitterdagi kuchlanish voltning o‘ndan bir qismidan oshmaydi, chiqishi esa birlar va manba kuchlanishi Е₂ yetarli bo‘lganda). Bundan kelib bazan o‘n minglarga teng.
Kirish qarshiligi Rkir muhim tavsifi bo‘lib, Om qonun bo‘yicha aniqlanadi:
va yuz Omdan
birlar kOm gacha bo‘ladi. UE sxemasi bo‘yicha ulanganida tranzistorning kirish qarshiligi, ko‘rinib turibdiki, uncha katta bo‘lmaydi, bu esa jiddiy kamchilik hisoblanadi. Yana shuni ta’kidlash muhimki, UE sxemasi bo‘yicha kaskad kuchlanish fazasini 180⁰ aylantiradi. UE sxemani avzalligiga bir manbadan uni ta’minlash qulayligi kiradi, chunki barcha va kolletorga bir xil belgili kuchlanish beriladi. Kamchiliklarga yomon chastotaviy va haroratli hususiyatlari kiradi (masalan, UBli sxemaga taqqoslaganda). Chastotani oshirgan sari UEli sxemada kuchaytirish pasayadi. Buning ustiga UE sxemali kaskad kuchaytirganda angcha buzilishlarni kiritadi.
Umumiy bazali sxema 16-rasmda tasvirlangan.

Bunday ulanish sxemai katta kuchlanish bermaydi, ammo yaxshi chastotaviy va haroratli hususiyatlarga ega. UE ga qaraganda u uncha ko‘p qo‘llanilmaydi.

UB li sxemaning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti doim birdan kam:
chunki kollektor toki emitter tokidan doim biroz kam.
UBli sxema uchun statik tok uzatish koeffitsiyenti L orqali belgilanadi:
U_k-B=const bo‘lganida.

Bu koeffitsiyent doim 1 dan kichik va u qancha 1 ga yaqin bo‘lsa, shuncha tranzistor yaxshi hisoblanadi. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti huddi UE sxemadagiga o‘xshash bo‘ladi. UB sxemasining kirish qarshiligi UE sxemadagiga qaraganda o‘nlab marotaba past.

UB sxemasi uchun kirish va chiqish kuchlanishlar o‘rtasidagi fazali siljish bo‘lmaydi, ya’ni kuchaytirilganda kuchlanish fazasi aylanmaydi. Bundan tashqari, UB sxema kuchaytirganda UE sxemaga qaraganda ancha kam buzulishlar kiritadi.

17-rasmda umumiy krollektorli (UK) sxema ko‘rsatilgan. Bunday sxema ko‘pincha emitterli qaytargich deb aytiladi.

1 7-rasm.

Bu sxemaning mohiyati shundaki, chiqish kuchlanish to‘liqligicha kirishga qaytarilib beriladi, ya’ni manfiy teskari bog‘lama juda kuchli. Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti birga yaqinlashadi, ammo undan doim kam. Natijada quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti taxminan Ki ga teng, ya’ni bir necha o‘nlarga. UK sxemada kirish va chiqish kuchlanishlar o‘rtasidagi fazali siljish yo‘q. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti birga yaqin bo‘lganи uchun, faza va amplituda bo‘yicha chiqish kuchlanish kirish kuchlanish bilan to‘g‘ri keladi, ya’ni uni takrorlaydi. Aynan shu sababli Bunday sxema emitterli qaytargich deb aytiladi. Shuni uchun emitterliki, chiqish kuchlanish emitterdan umumiy simga nisbatan olinadi.

UK li sxemaning kirish qarshiligi ancha yuqori (o‘nlab kOm), chiqish esa – uncha katta ejmas. Bu sxemaning muhim ustungligidir. (17-rasm).


Tranzistor holatining turli zanjirlarda hisobini bajarish u orqali oqadigan toklarnig berilgan kuchlanishga bog‘liqligini bilish kerak. Tarnzistorda oqadigan oqadigan o‘zgarmas toklar berilgan kuchlanishlarga nochiziqli funksiyalari hisoblanadi. Ammo agar o‘zgarmas tarkibiga amplitudasi o‘zgarmas tarkiblar miqdoriga qaraganda kichik bo‘lgan o‘zgaruvchan signalar qo‘shilsa, o‘zgaruvchan kirish kuchlanishi va o‘zgaruvchan chiqish toklar orasida chiziqli bog‘lama mavjud bo‘ladi va tranzistorning ishi chiziqli harakterga ega bo‘ladi. Shunig uchun o‘zgaruvchan tokda tranzistor ishini faol chiziqli to‘rt qutb ko‘rinishida tasavvur qilib, uni ta’riflash mumkin. To‘rt qutb hususiyatlari kirishda va chiqishda toklar va kuchlanishlarni bog‘laydigan ikki sistema tenglamasi bilan ta’riflanadi. Ekvivalent to‘rt qutb bilan tranzistorning almashtirilishi uning hususiyatlarini ta’riflash usullaridan biri. Ekvivalentnli sxemalar yordamida (o‘rnini bosish sxemalar) tranzistorning hususiyatlarini ta’riflash ikkinchi usul hisoblanadi. Bunday holatda tranzistor qator elektrik elementlardan iborat ekvivalent zanjirlar ko‘rinishida taqdim etiladi va shunday ulanganki, jamlanib ular tranzistor ishlashini o‘xshatadi va yakunida, eng umumiysi, ko‘rgazmali va ko‘p qo‘llanadigan usul bilan tranzistor hususiyatlarini aniqlash – bu tajribalar o‘tkazib statik volt-amperli tavsiflarni olish. Tranzistor hususiyatlarini olish. Tranzistor hususiyatlarini barcha uch ko‘rsatilgan usullarni ta’riflash bir biroviga ekvivalent bo‘lishi kerak, ya’ni bu usullarni har qaysisi bilan tranzistorning o‘rganishda bir xil natijalar olinishi lozim.