Integral kuchaytirgichlar bevosita bog‘langan bosqich sxemalari ko‘rinishida quriladilar. Bu vaqtda bosqichdan bosqichga o‘tganda signal doimiy tashkil etuvchisining o‘zgarishi kuzatiladi. Bu holat esa keyingi bosqichlarni ishlab chiqarishda qiyinchiliklar tug‘diradi. Bu kamchilikni bartaraf etish maqsadida o‘zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmalari qo‘llaniladi. Ular sath transformatorlari deb VA ataladilar. Bu vaqtda sath siljitish qurilmasi signal o‘zgarmas tashkil etuvchisini keyingi bosqichga o‘zgarishlarsiz uzatishi kerak, ya’ni kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti 1 bo‘lishi kerak. Oldingi ma’ruzada ko‘rib chiqilgan manfiy TAli kuchaytirgich kaskadlar kuchlanish bo‘yicha kichik kuchaytirish koeffitsiyentiga ega bo‘lgan holda yuqori barqarorlikka, nolining dreyfi kichik bo‘lishiga qaramasdan, turli halaqitlar ta’siridan himoyalanmagan. Natijada, kirishga signal berilma-ganda chiqishda yolg‘on signallar paydo bo‘lishi mumkin. Halaqitlar manbai bo‘lib:
Yarimo‘tkazgich IMSlar analog mikroelektron apparatlar hisoblash texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini tashkil etadi. Mikroelektronika rivojining asosiy tendensiyasi integrasiya darajasini Mur qonuniga muvofiq orttirishdan iborat. Integratsiya darajasini oshirishning bitta yo‘li tranzistor tuzilm alarning o ‘lcham larini kichiklashtirishdan iborat. Bunda bipolyar IMSlar komponentalari birbiridan va yarim o‘tkazgich asosdan qo‘shimcha konstruktiv elementlar yordamida elektr jihatdan izolatsiyalanadi. K om ponentlar ichki ulanishlarni metallash yo‘li bilan funksional sxemaga birlashtiriladi, chunki ulanayotgan sohalar turli elektr
