Rvama fakulteti dekani: X

Qiyinlik darajasi – 3

Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.

ko’p kollektorli tranzistorlar

n-MDYA

p-MDYA

ko’p emitterli

№ 60.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.
4. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 2

………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda

MDYA

Darlington

Shottki tranzistor

Shiklay

№ 61.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.