Fotodiodlar. Ayrim moddalarga yorug’lik tushganda, energiya modda atomlari tomonidan yutilib, elektron – kovak juftini hosil kiladi. Bu moddadan yasalgan material uchlariga kuchlanish berilsa, elektronlar bir tomonga, kovaklar ikkinchi tomonga xarakat kiladi. Yoruglik intencivligi ortishi bilan tok kuchi ham ortib boradi. Fotoelektrik kurilmalar yoruglik ta’sirida kuchlanish hosil kiladi. Odatda ular po’tishga ega bo’lib, hosil bo’lgan kuchlanishning musbat qutbi n-soxada bo‘ladi. Bu kuchlanish tashqi zanjirga ulansa tok hosil qilishmumkin. Tok yo‘nalishi o’tish yo‘nalishiga qarama-qarshi bo‘ladi. Fotodiodlar–yorug’lik ta’sirida elektr tokini o’tkazuvchi qurilma sifatida ishlatilishi mumkin. Yoruglik diodlar–bu bir yoki bir necha p-n o’tishga ega bo’lgan diod bo’lib, undan tok o’tganda o‘zidan yorug’lik chiqaradi. Bu diodda tok tashuvchi zarrachalar elektronlar va kovaklardan iborat bo’lsada, elektronlarning miqdori kovaklarga nisbatan ko‘proq bo‘ladi. Elektronlar n sohadan p- sohaga o’tish davomida, bir energetik sathdan ikkinchisiga o’tadi. Elektronlar p- sohada kovaklar bilan rekombinatsiyalanib o’zlarining ortiqcha energiyalarini yo’qotadi. Bu energiya nur sifatida chiqadi. Tok ortishi bilan yorug’lik intensevligi ham ortadi. Chiqayotgan nur kengroq fazoga taqsimlanishi uchun diodning nur chiqayotgan soxasiga ixcham linza ham o’rnatiladi. Diod materialiga qarab undan ixcham nurning rangi ham bo’ladi.
Xulosa Bugungi kunda ilmiy-texnikaning zamonaviy elektronikaning rivojlanishi bilan chanbarchas bog`liqdir. Elektronika gaz, qattiq jism vakuum va boshqa muxitdagi elementar zaryadlangan zarrachalarga elektromagnit maydon ta`sir natijasida xosil bo’lgan elektr o’tkazuvchanlikni o’rganish va undan foydalanish masalalari bilan shugullanadigan fan sohasidir. Elektronika yutuqlari natijasi sifatida elektrovakuum va yarim o’tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida namoyon bo’ladi. Zamonaviy elektornikani o’rganish uchun avvalam bor radioelektronika asboblarining tuzilishi, ishlash printsipi va fizikaviy asoslarini bilib olish kerak. Integral mikrosxemalar radio elektron apparaturalarda elementlararo ulanishlarni ta`minlash bilan birgalikda, ularning kichik o`lchamlarini, energiya ta`minotini, massa va material hajmini ta`minlaydilar. Ko`p sonli chiqishlar va qobiqlarning yo`qligi radio elektron apparaturalarning hajmi va massasini kichraytiradi. Moddaning yarim o‘tkazgichlik xossasiga asoslangan elementlarda fizik jarayonlar mikronlar tartibidagi sohalarda yuz berib, zamonaviy mikrochiplarda kremniy kristalining kichik bo‘lagida bir-biriga ulangan millionlab diodlar, tranzistorlar, qarshiliklar, kondensatorlar joylashgan.
R-bosim kuchi; E-elektr maydon kuchlanganligi; va boshqa tashqi ta’sirlarida elektr o‘tkazuvchanlikni tez o‘zgarishidir. Yarim
o‘tkazgichlar tarkibida bir oz aralashma qo‘shilganda, ularning elektr o‘tkazuvchanligi bir necha ming marta o‘zgarishiga olib keladi. Xulosa qilib shuni ta’kidlash mumkinki yarim o‘tkazgichlarda elektronlar kontsentratsiyasi kam ekanligi (metallarga solishtirganda ancha kam) va tashqi omillarga bog‘liqligi sababdir. Tashqi elektr maydon ta’sirida erkin elektronlar harakatlanib, elektron o‘tkazuvchanlikni hosil qiladi (N-o‘tkazuvchanlik). Tashqi elektr maydon ta’sirida teshiklar maydon yo‘nalishiga siljiydi. Ana shu teshiklar siljishi kattalik jihatidan elektronlar zaryadiga teng bo‘lgan musbat zaryadlar tokiga ekvivalent. Bu jarayon teshikli o‘tkazuvchanlik deb ataladi (R-o‘tkazuvchanlik). Shunday qilib yarim o‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanligi elektron o‘tkazuvchanlik va teshikli o‘tkazuvchanlik yig‘indisidan iborat ekan.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi shu muammolarga bagishlanadi. Xozirgi vaqtda elektronika asboblarning turli xildagi turlarining soni shunchalik ko’pki, ularning xar birini qarab chiqishning imkoni yo’q.