X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova



Yüklə 0,87 Mb.
səhifə58/58
tarix07.01.2024
ölçüsü0,87 Mb.
#208219
1   ...   50   51   52   53   54   55   56   57   58
X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

4 – laboratoriya ishi


5 – laboratoriya ishi

6 – laboratoriya ishi


7 – laboratoriya ishi



ILOVA


tatdiq etiladigan elektron asboblar haqidagi ma’lumotlar

I1. To‘g‘rilovchi, impulsli va yuqori chastota diodlar





Diod turi

Tuzilishi

Ito‘g‘ cheg, mA

Utesk cheg, V

fmax, kGs

tikl., mks

D2 Ye

Ge, nuqtaviy

16

50




3

D2 J

Ge, nuqtaviy

8

150




3

D7 G

Ge, qotishmali

300

200

2,4




D7 J

Ge, qotishmali

300

400

2,4




D9 Ye

Ge, nuqtaviy

20

30




3

D104

Si, mikroqotishmali

30

100

150

0,5

D226

Si, qotishmali

300

200

1,0




KD503 A

Si, planar -epitaksial

20

30




0,01

D312

Ge, diffuzion

50

75




0,7

I2. Stabilitronlar va stabistorlar



Diod
turi

Tuzilishi

Ust, V

Ict min, mA

Ict max, mA

rD, Om

D814 B

Si, qotishmali

8...9,5

3

36

10

D814 D

Si, qotishmali

11,5...14,0

3

24

18

KS156 T

Si, diffuzion-qotishmali

5,6

1

22,4

100

D219 C

Si, mikroqotishmali stabistor

0,57

1

50




KC113 A

Si, diffuzion-qotishmali stabistor

1,17...1,8

1

100

80

I3. Bipolyar tranzistorlar





Tranz. turi

Tuzilishi

h21E

fh21E(fT), MGs

Ik.cheg, mA

Uk.cheg, V

Rk cheg, mVt

k, mks

Sk
(10V), pF

MP37B

n-r-n, Ge, qotishmali

20-50

1,0

20

15

150




40

MP39B

r-n-r, Ge, qotishmali

20-50

0,5 1,5

20

20

150




40

KT315B

n-r-n, Si, planar -epitaksial

50-350

(250)

100

20

150

0,5

7

KT361B

r-n-r, Si, planar -epitaksial

50-350

(250)

50

20

150

0,5

9

(TR 2) MP 37 (TR 27) KT 315
MP 39 KT 361

I4. Maydoniy tranzistorlar





Tranz. turi

Tuzilishi

Ic cheg
(Ic boshl.)

Usi cheg,
V

Rs cheg, mVt

Szi, pF

Szs, pF

Ssi, pF

rk,
Om

Uberk, V

KP103I

n-r o‘tishli
r-kanalli

(0,8-1,8)

12

21

20

8

-

30

0,8-3

KP103E

n-r o‘tishli
r-kanalli

(0,4-1,5)

10

7

20

8

-

50

0,4-1,5

KP103M

n-r o‘tishli
r-kanalli

(5-7,5)

10

120

20

8

-

60

3-5

KP301B

r-MDYa, kanali
indutsiyalangan

15

20

200

3,5

1

3,5

100

-4

KP305D

n-MDYa, kanali qurilgan

15

15

150

5

0,8

5

80

-6

(TR 67) KP 103 (TR 69) KP 305 (TR 71) KP 301

I5. Integral mikrosxemalar


Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan barcha mikrosxemalar 201.14.1-201.14.9 turdagi 14 chiqishli 2 qator qilib joylashtirilgan to‘g‘ri burchakli plastmassa yoki sopol qobiqda bajarilgan (maxsus belgisi 1-chiqish yaqinida nuqta ko‘rinishida bajarilishi mumkin).





201.14.1-201.14.9 korpus (yuqoridan ko‘rinishi)

K140UD20. Ikkilangan operatsion kuchaytirgich





1 (7) – OK inverslovchi kirishi


2 (6) – OK inverslamaydigan kirishi
4 – “-Up” manba ulash uchun chiqish
12 (10) – OK chiqishi
13 (9) - “+Up” manba ulash uchun chiqish
(Qavs ichidagi raqamlar shu kristallda
joylashtirilgan ikkinchi OKga
tegishli)
K553UD2; KR1408UD1 Operatsion kuchaytirgichlar

Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan OK asosiy parametrlari





OK turi

Kyv 103

Usm, mV

Ikir, mkA

Ikir, mkA

f1, MGs

Ucheg.chiq, v/mks

Kta sf dB

Ukir, V

Ukir sf, V

Um, V

K553UD2

20

7,5

1,5

0,5

1

0,5

70

10

10

+(6-15)

K140UD20

50

5

0,2

0,05

0,55

0,3

70

12

11

+(6-15)

K176LP1 KMDYa tuzilishli universal mantiqiy element (mos keluvchi kommutatsiyada uchta EMAS elementi, katta tarmoqlanish koeffitsientiga ega bo‘lgan EMAS elementi, 3HAM-EMAS elementi, 3YoKI-EMAS elementi va triggerli yacheyka sifatida qo‘llanilishi mumkin).





Asosiy elektr parametrlari


Kuchlanish manbai Um=9V+5%,
Mantiqiy signal sathlari U0ChIQ  0,3V; U1ChIQ  8,2V;
iste’mol qilinayotgan tok: 0,3 mA dan katta emas;
signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqti  200 ns
Ishlash qobiliyati manba kuchlanishi 5Vgacha pasayguncha saqlanadi. Kirish signallarining ruxsat etilgan diapazoni (0dan Um gacha).






FOYDALANILGAN ADABIYoTLAR

1. A.G. Morozov. Elektrotexnika, elektronika i impulsnaya texnika. – M.: Vыsshaya shkola, 1987.


2. A.G, Aleksenko, I.I. Shagurin. Mikrosxemotexnika. – M.: Radio i svyaz, 1990.


3. D.V. Igumnov, G.V. Korolev, I.S. Gromov. Osnovы mikroelektroniki. – M.: Vыsshaya shkola, 1991.


4. Yu.F. Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Analogovaya i sifrovaya elektronika. – M.: Goryachaya liniya – Telekom, 2003.


5. Stepanenko I.P. Osnovы mikroelektroniki: Uchebnoe posobie dlya vuzov. – 2-ye izd., pererab. i dop.- M.: Laboratoriya Bazovыx Znaniy, 2001.


6. Yu.L. Bobrovskiy, S.A. Kornilov, I.A. Kratirov i dr.; Pod red. prof. N.F. Fedorova. Elektronnыe, kvantovыe priborы i mikroelektronika: Uchebnoe posobie dlya vuzov.- M.: Radio i svyaz, 2002.

O‘quv nashri
2007-2008 o‘quv yili
Xayrulla Kabilovich Aripov
Axmed Mallaevich Abdullaev
Nodira Batirdjanovna Alimova


ELEKTRONIKA
VA
SXEMOTEXNIKA

5521900 “Informatika va axborot texnologiyasi”


5523600 “Elektron tijorat”
5523500 “Axborot xavfsizligi”
5522200 “Telekommunikatsiya”
5522100 “Televidenie, radioaloqa va radioeshittirish”
5522000 “Radiotexnika”
5140900 “Kasb ta’limi” (telekommunikatsiya)
5521900 “Kasb ta’limi” (informatika va axborot texnologiyalari)
yo‘nalishlarida ta’lim olayotgan bakalavrlar uchun


o‘quv qo‘llanma






Nashrga ruxsat berildi
Ofset qog‘ozi. Buyurtma № Bosma.
Tiraj nusxa

Toshkent axborot texnologiyalari universiteti


(TATU Ilmiy – uslubiy kengashining
dagi № - sonli bayonnomasi)
tomonidan nashrga tavsiya etilgan
javobgar muxarrir
Yüklə 0,87 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   50   51   52   53   54   55   56   57   58




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin