Yarimoʼtkazgich kristallda kiritmalar va kristall panjara tuzilmalari nuqsonlari (boʼsh tugunlar, panjara surilishlari va boshqalar) boʼlmasa, u xususiy yarimoʼtkazgich deyiladi. Bunday yarimoʼtkazgichni i– bilan belgilash qabul qilingan.
Xususiy elektr oʼtkazuvchanlik
Kiritmali elektr oʼtkazuvchanlik
Elektr oʼtkazuvchanligi asosan kiritmalar atomlarining ionlashuvi natijasida hosil boʼladigan zaryad tashuvchilar bilan bogʼliq yarim oʼtkazgichlar kiritmali yarimoʼtkazgichlar deb ataladi.
Kiritmali elektr oʼtkazuvchanlik (n-turdagi yarimoʼtkazgich)
Kiritmali elektr oʼtkazuvchanlik (n-turdagi yarimoʼtkazgich)
Fermi sathi
Berilgan temperaturada harakatchan va qoʼzgʼalmas zaryad tashuvchilar kontsentratsiyasi Fermi sathi WF holati bilan aniqlanadi. Bu sath bir elektronga mos keluvchi jismning oʼrtacha issiqlik energiyasiga mos keladi. Аbsolyut nolь temperaturadan farqli temperaturada bu sathning toʼlish ehtimoli 0,5 ga teng. Baʼzi yarim oʼtkazgichli asboblar (tunnelь diodlari, tunnelь teshilishli stabilitronlar) da ajralmagan yarim oʼtkazgichlar qoʼllaniladi. Bunday yarim oʼtkazgichlarda Fermi sathi ruxsat etilgan zonalarda: elektron yarim oʼtkazgich uchun – oʼtkazuvchanlik zonasida, kovakli yarim oʼtkazgich uchun – valent zonada joylashadi. Аjralmagan yarim oʼtkazgichlar juda kata kiritma kontsentratsiyasi hisobiga hosil qilinadilar.
