Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги

2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi (1-qism. Ikki tranzistorli BTG ishlashini tadqiq etish):

• 
  5.1 - jadvalda berilgan parametrlar asosida dastlabgi hisoblashlar uchun berilgan formulalar yordamida hisob-kitob qiling;
  
• 
  5.2- rasmda keltirilgan sxemani berilgan parametrlar asosida NI Multisim daturiy muhitida yig‘ib, olingan natijalarni 5.2 – jadvalni to‘ldiring;
  
• 
  5.2 jadval asosida olingan natijalarga ishlov bering.
  

5.4-rasm. Tok ko‘zgusining NI Multisim daturiy muhitida yig‘ilgan sxemasi.


Berilgan parametrlar:
1-qism. Ikki tranzistorli BTG ishlashini tadqiq etishda NI Multisim daturiy muhitida foydalanish tavsiya etiladigan tranzistor: BC547A;
2-qism. Ikki tranzistorli BTG ishlashini tadqiq etishda NI Multisim daturiy muhitida foydalanish tavsiya etiladigan tranzistor: BC556AP.
5.1 – jadval.

Talaba t/r	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15	16
Em, V	10	11	12	13	14	15	16	10	11	12	13	14	15	16	10	11
Ib, mA	5	5.5	6	4	5	4	5	2	3	4	5.5	5	3.5	4.5	4	5

Dastlabki hisoblashlar.
Ikki tranzistorli BTG uchun R₁ qarshilikni hisoblash.
Kremniydan tayyorlangan tranzistorlarda U_BE=0,6÷0,8 V gacha bo‘ladi. R₁ ni quyidagi formula bilan hisoblash mumkin.

Ishni bajarish.
5.2- rasmda keltirilgan sxemani berilgan parametrlar asosida NI Multisim daturiy muhitida yig‘ib, R₂=R_yu qiymatlarini o‘zgartirgan holda olingan natijalarni 5.2 – jadvalni to‘ldiring:
5.2 – jadval.

Ryu,kOm	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
URYu, V
Iyu, mA
δ

3. Olingan natijalarga ishlov berish.
Boshqaruv tok qiymatidan chetlashishni hisoblash: .
Olingan natijalar asosida quyidagi grafiklar chiziladi:

1. 
   I_yu=f(R_yu); 2) I_yu=f(U_Ryu); 3) δ=f (R_yu).
   

2-qism. Uch tranzistorli (Uilson) BTG ishlashini tadqiq etish.
Laboratoriya ishini bajarish tartibi

• 
  5.1 - jadvalda berilgan parametrlar asosida dastlabgi hisoblashlar uchun berilgan formulalar yordamida hisob-kitob qiling;
  
• 
  5.3- rasmda keltirilgan sxemani berilgan parametrlar asosida NI Multisim daturiy muhitida yig‘ib, olingan natijalarni 5.2 – jadvalni to‘ldiring;
  
• 
  5.3 - jadval asosida olingan natijalarga ishlov bering.
  

5.5-rasm. Uilson tok ko‘zgusining NI Multisim daturiy muhitida yig‘ilgan sxemasi.


Dastlabki hisoblashlar.
Uch tranzistorli (Uilson) BTG uchun R₁ qarshilikni hisoblash.
Kremniydan tayyorlangan tranzistorlarda U_BE=0,6÷0,8 V gacha bo‘ladi. R₁ ni quyidagi formula bilan hisoblash mumkin.
R1= U_{k VT1} / I_b
Bu yerda, U_{k VT1} = U_m – U_{be VT2} – U_{be VT3} = U_m – 2U_be ya’ni U_{k VT1}=U_m – 2U_be.


Ishni bajarish.
5.3- rasmda keltirilgan sxemani berilgan parametrlar asosida NI Multisim daturiy muhitida yig‘ib, R₂=R_yu qiymatlarini o‘zgartirgan holda olingan natijalarni 5.3 – jadvalni to‘ldiring:
5.3 – jadval.

Ryu,kOm	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
URyu, V
Iyu, mA
δ

Olingan natijalarga ishlov berish.
Boshqaruv tok qiymatidan chetlashishni hisoblash: .
Olingan natijalar asosida quyidagi grafiklar chiziladi:
1) I_yu=f(R_yu); 2) I_n=f(U_Ryu); 3) δ=f (R_yu).
4. Hisobot mazmuni:

• 
  ishning maqsadi;
  
• 
  o‘rganilgan tranzistorning parametrlari;
  
• 
  laboratoriya ishi maketining prinsipial sxemasi;
  
• 
  bajarilayotgan ishning har bir bosqichi uchun – bosqich nomi va olingan natijalar (jadval, grafik va ossilogrammalar ko‘rinishida);
  
• 
  olingan natijalar bo‘yicha qisqacha xulosa.
  

5. Nazorat savollari.
1. BT lar va ularning ulanish sxemalari?
2. BT asosiy ish rejimlari.
3. BTGning ishlash prinsipi va uning qo‘llash sohasi.
4. 3. BTGning turlari.
6 - LABORATORIYa IShI
Maydoniy tranzistorda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistorda yasalgan ikki tranzistorli va uch tranzistorli tok ko‘zgusining ishlashini tadqiq etish.


1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Ushbu turdagi maydoniy tranzistorda yasalgan tok manbalari asosan anolog integral mikrosxemalarni ishlab chiqarishda qo‘llaniladi. Bundan tashqari, sxemotexnikada MDYa (MOS metal-oxide-semiconductor) strukturali maydoniy tranzistorlardan foydalanilganda bipolyar tranzistorli tok ko‘zgusidan deyarli farq qilmaydi.
Maydoniy tranzistorda yasalgan tok manbalari tok xisob-kitoblarini amalga oshirish uchun berilgan dastlabki ma’lumotlar: I_b - boshqaruvchi tok, E_m – kuchlanish manbasi va U_zi zatvor chegara kuchlanishi.
U_zi (V_GS(th) (Gate Threshold Voltage)) – tranzistor ochiladigan chegara kuchlanishi. Bu kuchlanish, o‘tkazuvchilar o‘rtasida kanal hosil qiladigan kuchlanish hisoblanadi va u stok va istok o‘rtasida tok o‘tishini ta’minlaydi. Agar zatvor va istok kuchlanishi U_zi ni V_GS(th) qiymatigacha pasaytirib borsak tranzistor yopilib qoladi ya’ni tok o‘tmaydi.
Ushbu laboratoriya mashg‘ulotida 2N6660 modeldagi maydoniy tranzistordan foydalanamiz. Har bir tranzistorning parametrlari va xarakteristikalari uning pasport ma’lumotida keltirilgan bo‘ladi. Ushbu parametrlar asosida amaliyotda qurilma vazifasiga qarab tranzistorlar tanlab olinadi. 2N6660 modeldagi tranzistor xarakteristikalari va parametrlar quyidagi 6.1-rasmda keltirilgan.

6.1 - rasm. 2N6660 tranzistori xarakteristikalari.

Laboratoriya ishi uchun topshiriq.
Maydoniy tranzistorda yasalgan ikki tranzistorli va uch tranzistorli tok ko‘zgusi (6.2 va 6.3 rasmlar) sxemasi asosida I_yu=f(R_yu), I_yu=f(U_Ryu), δ=f (R_yu) grafiklarini hosil qiling va tahlil qiling.

6.2-rasm. Maydoniy tranzistorda yasalgan ikki tranzistorli tok ko‘zgusi sxemasi.

6.3 - rasm. Maydoniy tranzistorda yasalgan uch tranzistorli tok ko‘zgusi sxemasi.



Yuqoridagi sxemalar uchun R_yu yuklama qarshiligi maksimal qiymatini aniqlang, bunda tok ko‘zgusi chiqish toki qiymati kirish tok qiymatidan 5 foizga farq qiladi va bu nuqtani grafiklarda ko‘rsating.


Laboratoriya ishini bajarish uchun berilgan parametrlar:
6.1 – jadval.

Talaba t/r	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15