Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги

Em, V	14	15	16	13	14,5	14	10	15	11	9	11.5	14	15	16
17
Ib, mA	12	12.5	14	11	12,5	12	7	13	9	7	9.5	12.5	13.5	14.5	15
Uzi, V	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2

2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi.
Maydoniy tranzistorda yasalgan ikki tranzistorli tok ko‘zgusi:

• 
  laboratoriya ishini bajarish uchun 6.2- rasmda keltirilgan sxemani NI Multisim daturiy muhitida yig‘ing;
  
• 
  6.1 jadvalda belgilangan variantingizdagi berilgan parametrlar (Masalan: E_m=V1=12 V I_b=10 mA, U_zi=2V.) asosida E_m kuchlanish manbasi qiymatini o‘rnating va R1 qarshilikning qiymatini quyidagi formula asosida hisoblab toping:
  

R1= (E_m – U_zi) / I_b
R1=1000 Om
Dastlabki hisoblash natijasi asosida sxemani sozlang, simulyatorni ishga tushiring, 6.4 - rasm.

6.4- rasm. Maydoniy tranzistorda yasalgan uch tranzistorli tok ko‘zgusi.

Simulyasiya natijasida U1 ampermetr boshqaruvchi tok I_b=9,981 mA qiymatini ko‘rsatmoqda, lekin variant bo‘yicha 10 mA bo‘lishi kerak edi. Bunda, tok oqimi xatoligi 0,19% ni tashkil etdi. Simulyasiyani birinchi marta ishga tushirganda I_b boshqaruvchi tok oqimi xatoligi 3% gacha bo‘lishi mumkin.

Bu yerda, I_b tok variant bo‘yicha, toki o‘lchab olinadi.

Yuklama qarshiligining qiymatini R_yu = 0 ÷1,5 kOm gacha oshirib boring va natijalarni 6.2 – jadvalga yozib oling.
6.2 – jadval.

Ryu, Om	0	100	200	300	400	500	600	700	800	900	1000	1100	1200	1300	1400	1500
URyu, V
Iyu, mA
δ

Yuqoridagi 6.2-rasmda keltirilgan sxema uchun R_n yuklama qarshiligi maksimal qiymatini aniqlang, bunda tok ko‘zgusi chiqish toki qiymati kirish tok qiymatidan 5 foizga farq qiladi va bu nuqtani grafiklarda ko‘rsating.
Olingan natijalar asosida I_yu=f(R_yu), I_yu=f(U_Ryu), δ=f (R_yu) grafiklarini hosil qiling.
Maydoniy tranzistorda yasalgan uch tranzistorli tok ko‘zgusi
Ishni bajarish:

• 
  laboratoriya ishini bajarish uchun 6.3- rasmda keltirilgan sxemani NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ing;
  
• 
  belgilangan variantingizdagi berilgan parametrlar (Masalan: E_m=V1=12 V, I_b=10 mA, U_zi=2V) asosida E_m kuchlanish manbasi qiymatini o‘rnating va R1 qarshilikning qiymatini quyidagi formula asosida hisoblab toping:
  

R1= (E_m – 2U_zi) / I_b

R1=800 Om
Dastlabki hisoblash natijasi asosida sxemani sozlang, simulyatorni ishga tushiring, 6.5- rasm.

6.5- rasm. Maydoniy tranzistorda yasalgan uch tranzistorli tok ko‘zgusi.

Simulyasiya natijasida U1 ampermetr boshqaruvchi tok I_b=9,949 mA qiymatini ko‘rsatmoqda, lekin variant bo‘yicha 10 mA bo‘lishi kerak edi. Bunda, tok oqimi xatoligi 0,51% ni tashkil etdi. Simulyasiyani birinchi marta ishga tushirganda I_b boshqaruvchi tok oqimi xatoligi 3% gacha bo‘lishi mumkin.

Bu yerda, I_b tok variant bo‘yicha, tok o‘lchab olinadi.

Yuklama qarshiligining qiymatini R_yu = 0 ÷1,5 kOm gacha oshirib boring va natijalarni 6.3 – jadvalga yozib oling.
6.3 – jadval.

Ryu, Om	0	100	200	300	400	500	600	700	800	900	1000	1100	1200	1300	1400	1500
URyu, V
Iyu, mA
δ

3. Olingan natijalarga ishlov berish.
Boshqaruv tok qiymatidan chetlashishni hisoblash: .
Yuqoridagi 6.3-rasmda keltirilgan sxema uchun R_yu yuklama qarshiligi maksimal qiymatini aniqlang, bunda tok ko‘zgusi chiqish toki qiymati kirish tok qiymatidan 5 foizga farq qiladi va bu nuqtani grafiklarda ko‘rsating.
Olingan natijalar asosida I_yu=f(R_yu), I_yu=f(U_Ryu), δ=f (R_yu) grafiklarini hosil qiling.


4. Hisobot mazmuni:

• 
  ishning maqsadi;
  
• 
  o‘rganilgan tranzistorning parametrlari;
  
• 
  laboratoriya ishi maketining prinsipial sxemasi;
  
• 
  bajarilayotgan ishning har bir bosqichi uchun – bosqich nomi va olingan natijalar (jadval, grafiklar);
  
• 
  olingan natijalar bo‘yicha qisqacha xulosa.
  

5. Nazorat savollari.
1. Maydoniy tranzistor (MT) deb nimaga aytiladi va nima uchun uni unipolyar tranzistor deb ham atashadi?
1. MT ning ulanish sxemalari?
2. MT asosiy ish rejimlari.
3. MT asosidagi BTGning ishlash prinsipi va uning qo‘llash sohasi.
4. 3. BTGning turlari.
7- LABORATORIYA ISHI


Emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Bipolyar tranzistorda yasalgan emitter qaytargich sxemasini tadqiq qilish, uning differensial parametrlarini o‘lchash, dinamik xarakteristikalarini tahlil qilish.


1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Emitter qaytargich – bipolyar tranzistorga asoslangan uch elektrodli faol qurilmalarda kuchlanish qaytargichlarining bir turi.
Emitter qaytargich- bu yuqori tok kuchaytirish koeffisenti bilan xarakterlanadi, ya’ni bunda tok uzatish kuchlanish koeffisentiga yaqin bo‘ladi. Emitter qaytargichning chiqish qarshiligi kichik bo‘lib unga nisbatan kirish qarshiligi esa kattadir. Kuchaytirgich keng chastota diapozoniga ega.
Emitter qaytargichda tranzistor umumiy kollektor (UK) sxemasiga muvofiq yoqiladi. Ya’ni, kollektor odatda kuchlanish manbasiga ulanadi va kaskadning ishlash paytida yerga (Ground) nisbatan o‘zgarmasdir.
Emitter qaytargichda kirish signali baza orqali uzatiladi va chiqish signali emitterdan olinadi. Kirish va chiqish signallarining fazalari bir xil ya’ni kuchaytirgich o‘zgaruvchan emas.
Emitter qaytargich past yuklama qarshiligiga nisbatan yuqori ichki qarshilikka ega signal manbalarini taqqoslash uchun ishlatiladi. Masalan, bufer kuchaytirgich, differensial kirish kaskadlari shuningdek chiqish quvvatini kuchaytirish kaskadlari kabi kuchatirgichlarni yasashda qo‘llaniladi.
Emitter qaytargich sxemasi quyidagi 7.1 – rasmda keltirilgan bo‘lib, emitter qaytargich sxemasi E₁ – kuchlanish bilan boshqaruvchi o‘zgarmas manba, E₂ – o‘zgarmas potensial kuchlanish manbasi, R_E – qarshilik, bipolyar tranzistor va qiymatlarni o‘lchash uchun o‘lchov qurilmalaridan tashkil topgan.

7.1 – rasm. Emitter qaytargich sxemasi.


Ishni bajarish uchun topshiriq. 7.1 – jadvalda berilgan parametrlardan foydalanib 7.1-rasmda keltirilgan emitter qaytargich sxemasini elektron stendda (NI Multisim dasturiy mihitida) yig‘ing va differensial parametrlarini o‘lchang. ; ; ; grafiklarini chizing.

2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi:

• 
  7.1- rasmda keltirilgan sxemani 7.1 - jadvalda berilgan parametrlar asosida NI Multisim daturiy muhitida yig‘ib oling;
  
• 
  7.1 - jadvalda berilgan variant bo‘yicha qiymatiga mos keladigan E₁ – kuchlanish bilan boshqaruvchi o‘zgarmas manbaa qiymati (E₀) ni topib oling;
  
• 
  Topib olingan qiymati (E₀) asosida dastlabki xisob-kitobni amalga oshiring va olingan qiymatlar asosida elektron stendda (NI Multisim daturiy muhitida) ishni bajaring va natijalarni 7.2 – jadvalga yozib boring;
  
• 
  7.2 – jadval asosida olingan natijalarga ishlov bering.
  

Berilgan parametrlar:
Emitter qaytargich sxemasini tadqiq etishda NI Multisim daturiy muhitida foydalanilish tavsiya etiladigan tranzistorlar: BC847, BC547A.
7.2- jadval

Talaba t/r	1	2	3	4	5	6	8	7	9	10	11	12
A	0,6	0,5	0,3	0,3	0,3	0,6	0,4	0,3	0,7	0,4	0,3	0,5
RE(Om)	1000	510	1000	620	750	820	1000	910	820	750	820	820
IK(mA)	1	1,8	2	3	3,5	2	3	2,5	1,5	1	3	2
E2(V)	14	13	15	16	15	15	15	14,5	14	15	15	13

Talaba t/r	13	14	15	16
A	0,5	0,3	0,5	0,5
RE(Om)	620	620	750	1000
IK(mA)	2,5	1,5	2	3
E2(V)	14	14	15	16