Zbekiston respublikasi

Rasm 2.5 . Kirishmalarning taqsimlanish koeffitsientini aniqlashga doir.

3-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini kamaytirsa (M: silikat vismut kristaliga kremniy (Si) yoki germaniy (Ge) qo‘shilgan hol), taqsimlanish koeffitsienti K<1 va C_kr.c_.. O‘sish jarayonida kristallda kirishma miqdori kamayib boradi.

Odatda kristall o‘stirish uchun erituvchi tanlanadi. Erituvchini tanlashning 2-holi mavjud.

Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kirmagan moddani ishlatish. Bu modda kristallga nisbatan kirishma ham bo‘lishi mumkin MU: Sn-Si, Pb-Si, Bi- Ge, Sn-Ge, In-Ge va hokazo.

Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kiruvchi moddani ishlatish. Bu hol birikmali kristallarga xos. MU: Bi₂O₃ - GeO₂, Bi₂O₃ - Bi₂SiO₃ (Bi₁₂GeO₂₀ va Bi₁₂SiO₂₀) hokazo. Bu hol uchun o‘sayotgan kristall tozaligi tanlab olingan komponentlar tozaligiga bog‘lik.

Eritmadan o‘stirish afzalliklarga ega bo‘lib, u o‘stirish jarayonining nisbatan pastroq haroratda bo‘lishi bilan bog‘lik. Jumladan: a) T_ker. bo‘lgani uchun birikmali materiallar o‘stirilganda birikma komponentlarining parsial bosimi kamroq bo‘ladi MU: Bi₂O₃ - GeO₂, Bi₂O₃ - Bi₂SiO₃. Kristall o‘stiralayotgan asbob-anjomlarga nisbatan (MU: o‘stirish konteynerlariga nisbatan) qo‘yiladigan shartlar birmuncha yumshaydi.