Andijon Mashinasozlik Instituti ib va kt fakulteti

Andijon Mashinasozlik Instituti IB va KT fakulteti

• Andijon Mashinasozlik Instituti IB va KT fakulteti
• AT va T yo'nalishi 
• K-34-22 guruh talabasi Raxmonbekov Mirvoxidning 
• Elektrotexnika vaSxemotexnika fanidan
• MUSTAQIL ISHI

Keng polosali kuchaytirgichlar. MTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi, hamda ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar.

Reja:
1. Maydoniy tranzistorlar
2. Keng polosali kuchaytirgichlar
3. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar
4.Xulosa
Maydoniy tranzistor. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish uchun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.
Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o`tkazuvchanligiga ko`ra ikki turi mavjud: p–n o`tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o`tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo`lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham ataladilar.
p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1 - rasmda n– kanalli p–n o`tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (A) va uning shartli belgisi (B) keltirilgan.
A-rasm
B-rasm
n–turdagi soha kanal deb ataladi. Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan kontakt istok (I); zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt stok (S) deb ataladi. Zatvor (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi. Zatvor va istok oralig`iga kuchlanish berilganda yuzaga keladigan elektr maydoni kanal o’tkazuvchanligini, natijada kanaldan oqib o’tayotgan tokni o’zgartiradi. Zatvor sifatida kanalga nisbatan o’tkazuvchanligi teskari turdagi soha qo’llaniladi. Ishchi rejimda u teskari ulangan bo’lib kanal bilan p – n o’tish hosil qiladi.
Keng polosali kuchaytirgichlar
Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o`zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo`yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar.
Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‘llaniladi. (rasmda) n – kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‘lishi kerak. Shu sababli o‘zgarmas tok bo‘yicha rejim hosil qilish uchun RI rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga RSIL rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi.
Berilgan IS0 sokinlik toki uchun RI kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor VAXsidan aniqlanadi. VAXdan UZI0 ni aniqlab RI ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin:
Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar. Kuchaytirgich parametrlarining yaxshi barqarorligini ta’minlab beruvchi manfiy teskari aloqa kuchaytirish koeffisientini keskin kamaytiradi. Katta KU qiymatini olish uchun keng polosali ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar qo‘llaniladi. (rasmda) ketma - ket – parallel teskari aloqali uch bosqichli kuchaytirgich prinsipial sxemasi keltirilgan. Birinchi UE bosqich VT1 tranzistorda bajarilgan, unda tok bo‘yicha mahalliy ketma –ket MTA mavjud bo‘lib, u RE1 da bajarilgan. Ikkinchi bosqich VT2 tranzistorda bajarilgan. Uchinchi bosqich VT3 tranzistorda bajarilgan bo‘lib, RE3 rezistor mahalliy MTAni amalga oshiradi.
Xulosa
Foydalanilgan adabiyotlar

• Imomnazarov A.T. elektromexanik tizimlarning elementlari. Oliy o’quv yurtlari uchun darslik, - Toshkent.:, “Ta’lim”, 2009., -185b.
• Imomnazarov A.T. sanoat korxonalri va fuqarolik binolarining elektr jihozlari, - Toshkent.:, “ILM ZIYO”, 2006., -185b.
• Бойко В.И. и др., Схемотехника электронных систем. Микропроцессоры и микроконтроллеры. Учебник,-С-Петербург.:, БХВ 2004.
• Браславский И.Я. Асинхронный полупроводниковый электропривод с параметрическим управлением. –М.:, Энергоатомиздат, 1998.

E`TIBORGIZ UCHUN
RAXMAT