O'zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti farg‘ona filiali kompyuter injiniringi fakulteti
Yüklə 326,58 Kb.
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- Mustaqil ishi
|
O'ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI FARG‘ONA FILIALI Kompyuter injiniringi fakulteti 710-21 guruh talabasi Jurayev Nodirbek ning “Raqamli qurilmalarni loyihalash”fanidan bajargan Mustaqil ishi Mavzu: Elektron kalit sxemalari. Reja: 1.Tranzistor kaliti sxemasi.. 2.Ekivalent kalit sxemasi. 3.Xulosa.
BT-da tranzistor kalitining parametrlarini hisoblash. 1-rasmda kremniyli BT ning UE ulanish sxemasi elektron kalitning prinspial sxemasi ko'rsatilgan. rasm. Kremniyli BT ning UEelektron kalit sxemasi: a) prinspial sxema; b) ekvivalent sxema Tranzistor turini tanlaymiz. Kollektor tokini hisoblaymiz: IK=(Um-Uto’y)/RK Um (UИП) - kuchlanish manbai (15V),
IK = (15-0.4)/220 = 0.066A = 66мА Amalda, ishonchlilik sababli, elementlar har doim ortig’i bilan tanlanishi kerak. Koeffitsientni 1,5 olamiz. Shunday qilib, tranzistor qabul qilinadigan kollektor toki kamida 1,5 * 0.066 = 0.099A va maksimal 1,5 * 15 = 22,5V maksimal kollektor-emitter kuchlanishiga ega bo'lishi kerak. Berilgan parametrlarga ko'ra, BC547A tranzistori mos keladi (Ikmax = 0.1A Uke = 45V) BC547A bipolyar tranzistorining xarakteristikasi: Tuzilishi - n-p-n Kollektor-emitter kuchlanishi: 45 V Kollektor-baza kuchlanishi: 50 V Emitter-baza kuchlanishi: 6 V Kollektor toki: 0,1 A Kollektor quvvatining ajralishi, ko'pi bilan 0,5 Vt Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti (hfe): 110 dan 220 gacha O'tish tokining chegaraviy chastotasi: 150 MGz Korpus: TO-92 Ekvivalent kalit sxemasining parametrlarini hisoblaymiz: RB = h11E UE ulanish sxemasiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini quramiz. OE Ib = f (Ube) da Uke = 0 V va Uke = 10 V ga mos keladigan BC547A tranzistorining kirish xarakteristikalarini ajratib olamiz. Tranzistorning parametrlarini o'lchash uchun 2-rasmdagi sxemani yig'dik. 2-rasm. Transistorning kirish xarakteristikalari oilasini olish sxemasi Olingan IB va UBE qiymatlari 1-jadvalda umumlashtirildi. Ulardan foydalanib, biz BC547A tranzistorining statik kirish xarakteristikalarini yaratamiz. 1-jadval. UE Ib = f (Ube) da Uke = 0 V va Uke = 10 V ga mos keladigan BC547A tranzistorining statik kirish xarakteristikalari oilasi.
Tegishli ma'lumotlarga ko'ra, biz tranzistorning kirish xarakteristikalarining Ib = f (Ube) grafigini chizamiz (3-rasm). 3-rasm. BC547A tranzistorining kirish xarakteristikalarining Ib = f (Ube) grafigi UE Ik = f (Uke) da Ib = const qiymatga mos keladigan tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasini qurish. UE ulanish sxemasiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik chiqish xarakteristikalari turkumini qurish uchun biz multisim dasturiy ta'minot muhitida xarakteriograf-IV dan foydalanamiz (4-rasm). Xarakteriograf-IVdan qanday foydalanish haqida https://cxem.net/comp/comp193.php saytida batafsil tushuntirilgan. 4-rasm. Transistorning chiqish xarakteristikalari Xarakterografda siz 5 tadan kam bo’lmagan chiqish xarakteristikalarini olishingiz kerak. Buning uchun, «параметры моделирования» oynasida, Ib baza toki uchun 5 parametr olindi. UKE kuchlanishi 0 dan 20 V gacha o'zgartirildi. Xarakteriograf-IV yordamida 2-jadvalni to'ldiramiz. Shu bilan birga, Ib ning joriy qiymatlarini xarakteriograf qiymatiga o'rnatamiz. 2-jadval. UE Ik = f (Uke) ning Ib= const qiymatiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik chiqish xarakteristikalari.
Olingan ma'lumotlarga asosida, tranzistorning chiqish xarakteristikalari grafigini Ik = f (Uke) quramiz (4-rasm).
RB-ni aniqlaymiz RB = h11э Buning uchun 5-rasmdagi 2-nuqtadan foydalanamiz, bunda IB2 = 250 mkA. Kirish xarakteristikasidan h11E-ni aniqlaymiz: 7-rasm. h11e ni aniqlash Rasmdan biz Ib1 = 140 mkA, Ib3 = 330 mkA, Ube1 = 710 mV, Ube3 = 740 mV ekanligini aniqlaymiz. Keyin h11e aniqlanadi: BT ning kirish VAXi , da chiqish kuchlanishiga mos keladigan kuchlanishni topishga imkon beradi. 8-rasm. Ubei ni aniqlash Olingan qiymatlar va juftligi kalitning uzatish xarakteristikasini qurishga imkon beradi. ning Yuqori chiqish darajasi BT ning kesishish sohasiga mos keladi (6-rasmda "0" nuqtasi): . Chiqish darajasi pastligi to'yinish rejimiga to'g'ri keladi (6-rasmdagi "5" nuqtasi) Uzatish xarakteristikasini quramiz: Jadval 5. Uzatish xarakteristikasi
9-rasm. Transistor Transistor kalitining xarakteristikasi Uzatish xarakteristikasida kalitning 3 ta sohasi mavjud: kesilgan soha – kichik darajadagi kirishdagi kuchlanishga mos keluvchi soha, aktiv soha- BT ni kesilgan rejimdan to’yinish rejimiga o’tuvchi va aksincha bo’lgan rejim, to’yinish sohasi – yuqori darajadagi kirish kuchlanishiga mos keluvchi soha. Kalitning uzatish xarakteristikasini yanada aniq hisoblash uchun tok bo’yicha statik koeffisiyenti orqali uzatish tokining baza toki qiymatiga bog’liqligini hisobga olish kerak. Xulosa Men ushbu mustakil ishni o'zimga belgilangan variantga mos keluvchi parameterlardan foydalanib bajardim.Ushbu mustakil ishda berilgan labaratoriya mashg'ilotini virtual sxemasini NI Multsim 13.0 dasturi yordamida yig'ib chiqdim va o'lchab topilishi kerak bo'lgan parametrlarni o'lchab topdim . Mustaqil ishni bajarish davomida davomida BC848 tranzistoridan foydalandim. Olingan natijalar asosida xisob kitob kilib kiymatlarni topdim . Ushbu olingan qiymatlardan foydalanib parametrlarni bir-biriga bog'liqlik grafiklarini Microsoft Excel yordamida chizdim. Yüklə 326,58 Kb. Dostları ilə paylaş:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||