1-laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Ishdan maqsad

1-laboratoriya ishi
IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish.


Ishdan maqsad: Integral mikrosxemalarin tayyorlanishi va texnologiyalarini o‘rganish.


IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish.
Integral mikrosxema (IMS) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir.
IMS elementi deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.

• 
  IMS komponenti deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan IMSning bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, kondensatorlarning maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik g‘altaklari va boshqalar sodda komponentlarga, murakkab komponentlarga esa – bir nechta elementdan tashkil topgan, masalan, diod yoki tranzistorlar yig‘malari kiradi.
  
• 
  IMSlar klassifikatsiyasi
  
• 
  Integratsiya darajasiga ko‘ra: kichik, o‘rta, katta, o‘ta katta, ultra katta va giga katta IMSlar;
  
• 
  Qabul qilinayotgan, saqlanayotgan va ishlov berilayotgan signal turiga ko‘ra: analog va raqamli IMSlar;
  
• 
  Tayyorlanish konstruktiv-texnologik turiga ko‘ra: yarimo‘tkazgichli, pardali va gibrid IMSlar;
  
• 
  Aktiv element turiga ko‘ra: bipolyar tranzistorli va MDYA- tranzistorli IMSlar;
  
• 
  Iste’mol quvvatiga ko‘ra: kam quvvatli, o‘rta quvvatli, katta quvvatli IMSlar;
  
• 
  Ishchi chastotasiga ko‘ra: past chastota, o‘rta chastota va yuqori chastota IMSlari;
  
• 
  Elementlarni bir-biridan izolyatsiyalanish usuliga ko‘ra va x.z.
  

IMSlarning belgilanish tizimi

• 
  IMSlar 6ta elementdan iborat bo‘lgan belgilanish tizimi yordamida klassifikatsiyalanadi:
  
• 
  Birinchi element (K – harfi) – IMS keng ko‘lamda qo‘llanilish uchun mo‘ljallanganligini bildiradi.
  
• 
  Eksport uchun mo‘ljallanganlari EK harflari bilan byelgilanadi.
  
• 
  Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A- plastmassali planar, YE-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan,
  
• 
  I-shishakeramikli planar, B-qobiqsiz va x.z.).
  
• 
  Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv-texnologik turini bildiradi (1,5,6,7-yarimo‘tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, vakuumli).
  
• 
  To‘rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – IMS seriyasining tartib raqamini bildiradi. Ikkita son birlalikda-aniq seriya raqamini bildiradi.
  

Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funksional vazifasini bildiradi.
Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini bildiradi.

Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar

Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy monokristal quymalari olishdan boshlanadi (Чохральский усули). Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin. Zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) 0S temperaturalarda kechadi.
1.1.-rasm. IMS tuzilmasi