1-topshiriq tranzistorli quvvat kuchaytirigichining tuzilish sxemasini tuzish va hisoblash

X_par

R_par

R_par

R_E

X_par

2

2

c) c) e)


5-rasm. Qarshiliklarni transformatsiyalash uchun G - simon to‘rt qutblilardan foydalanish
Parallel zanjirning qarshiligi faqat aktiv bo‘lishi uchun (5,b-rasm) X`<sub>par</sub> reaktivlikka parallel, qiymati bo‘yicha unga teng va ishorasi bo‘yicha qarama qarshi X<sub>par</sub> reaktiv qarshilikni ulaymiz (5,c-rasm). X<sub>par</sub> va X`_par reaktivliklar juda katta R_e ekvivalent qarshiligili parallel tebranish konturini tashkil etadi va demak, 5,v-rasmdagi sxemani R_par va R_e qarshiliklarning parallel ulanishi sifatida tasavvur qilish mumkin (6,d-rasm), chunki, R_e>>R_par bo‘ladi. Binobarin, R_e>>R_par 22 uchlardagi qarshiliklarni taxminan R_par qarshilikka teng deb hisoblash mumkin. 6,c-rasmdagi sxemada R_par va X`_par parallel ulanishni X_kk i R_kk ketma-ket zanjir bilan quyib X_kk va X_par elementlardan iborat moslashtiruvchi G-simon to‘rt qutblilini olamiz (5,e-rasm)



6-rasm. G - simon to‘rt moslashtirish zanjiri


Agar olingan to‘rt qutblini 11 klemmalar tomonidan R_kk=R₁ qarshilikka yuklansa, uning qarshiligi 22 klemmalar tomonidan R_par=R₂ qarshilikka teng bo‘ladi yoki aksincha. G-simon MZ ning boshqa varianti 6-rasmda ko‘rsatilgan. Bu sxemalar imkoniyatlari chegaralaridagi berilgan moslashtirish har ikkala hollarda yaxshi bajariladi, shuning uchun u yoki bu sxemani tanlash aniq bir loyihalashtirish shartlari orqali aniqlanadi.