2-mavzu. Ims tayyorlash texnologiyasi. Ims aktiv va passiv elementlari

Zonali eritish usulida monokristall ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. Bunda kristallning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristallning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo‘lsa, kiritmalar suyuq fazaga o‘tib kristallning ikkinchi uchiga siljib boradi va to‘planadi. Kiritmalar to‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so‘ng kesib tashlanadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristall ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda mustahkamlikni ta’minlash va kristallanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo‘lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IMSning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristall asos sirtida n – yoki r – turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO₂) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) ⁰S tempe-raturalarda kechadi.
IMSlar tayyorlashda SiO₂ qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDYa – tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.
Legirlash. Yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish va zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Legirlashning asosiy usullari yuqori temperaturalarda kiritmalar atomlarini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombardimon qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish)dan iborat.