2-mavzu. Ims tayyorlash texnologiyasi. Ims aktiv va passiv elementlari

Plastinalarni kristallarga ajratish va yig‘ish operatsiyalari. Barcha asosiy texnologik operatsiyalar bajarib bo‘lingandan so‘ng, yuzlarcha va undan ko‘p ISlarga ega plastina alohida kristallarga bo‘linadi.
Plastinalar lazer skrayber yordamida, ya’ni tayyorlangan ISlar orasidan lazer nurini yurgizib kristallarga ajratiladi. Ishlatishga yaroqli kristallar qobiqlarga o‘rnatiladi, bunda kristall avval qobiqqa yelimlanadi yoki kavsharlanadi. So‘ng kristall sirti-dagi kontakt yuzachalar qobiq elektrodlariga ingichka (ø 20÷30 mkm) simlar yordamida ulanadi. Simlar ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya’ni ulanayotgan sim bilan kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200÷300 ⁰S temperaturada va yuqori bosimda bir-biriga bosib biriktiriladi. Montaj operatsiyalari tugagandan so‘ng kristall yuzasi atrof muhit atmosferasi ta’siridan himoyalash uchun qobiqlanadi. Odiiy integral sxemalarda chiqish elektrodlari soni 8–14 ta, KISlarda esa 64 tagacha va undan ko‘proq bo‘lishi mumkin. ISlar qobiqlari metall yoki plastmassadan tayyorlanadi. ISlarning qobiqsiz turlari ham mavjud.

3. 
   IMS asosiy parametrlari.
   

Tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli IMSlarni bipolyar va MDYa IMS larga ajratish qabul qilingan. Bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan IMSlardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan IMSlar, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. Hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan IMSlar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda.

Ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli ISlar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. Natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar, ya’ni n–p–n yoki p–n–p tuzilmali tranzistorlar hosil bo‘ladi. Bir tranzistorning o‘lchamlari enigi bir necha mikrometrlarni tashkil etadi. Alohida elementlarning izolyatsiyasi yoki r-n o‘tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga oshirilishi mumkin. Tranzistorli tuzilma faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ham qo‘llaniladi.
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi. Ko‘p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan bir kollektor va bir necha (8-10 gacha va ko‘p) emitterdan tashkil topgan. Ular tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi. Ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KET tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin integral – injeksion mantiq (IM) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi.
Diodlar. Diodlar bitta p-n o‘tishga ega. Lekin bipolyar tranzistorli IMSlarda asosiy tuzilma sifatida tranzistor tanlangan, shuning uchun diodlar tranzistorning diod ulanishi yordamida hosil qilinadi. Bunday ulanishlarning beshta varianti mavjud. Agar diod yasash uchun emitter – baza o‘tishdagi p-n o‘tish qo‘llanilsa, u holda kollektor – baza o‘tishdagi p-n o‘tish uziq bo‘lishi kerak.
Rezistorlar. Bipolyar tranzistorli IMSlarda rezistor hosil qilish uchun bipolyar tranzistor tuzilmasining biror sohasi: emitter, kollektor yoki baza qo‘llaniladi. Emitter sohalari asosida kichik qarshilikka ega bo‘lgan rezistorlar hosil qilinadi. Baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi.