23-Mavzu: Ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich asboblar (1-qism)

(а₁+а₂)<1 shart bajarilganda dinistor orqali oqadigan tok I_К0 ni tashkil etadi. (а₁+а₂)>1 bo‘lganda dinistor ochiladi va tok o‘tkaza boshlaydi. Dinistoming ulanish sharti shundan iborat.
Dinistorda а₁ yoki а₂ tok uzatish koyeffitsiyentlarni oshirishning yagona usuli uning anodida kuchlanishni oshirishdan iborat. Kuchlanish ortishi bilan
U = U_ULAN dan tranzistorlaming biri to‘yinish rejimiga o‘tadi. Ushbu tranzistoming kollektor toki, ikkinchi tranzistoming baza zanjirida oqib uni ochadi, o‘z navbatida, birinchi tranzistoming baza tokini oshiradi. Natijada tranzistorlaming kollektor toklari ular to‘yinish rejimiga o‘tmaguncha ko‘chkili ortadi.

23.4-rasm. Dinistor VAXi (a) va uning impuls ulanish sxemasi (b).

23.4-rasmda U_ULAN - dinistoming ulanish kuchlanishi, U_QOL - ochiq dinistordagi qoldiq kuchlanish pasayishi, I_yu – yuklama toki, I_UZIL - dinistomi o‘chirish toki, VD1 - yarimo‘tkazgich diod, VD2 - dinistor, R_yu - юklama qarshiligi, R - chegaralovchi qarshilik, С - ajratuvchi kondensator, U_BOSH - boshqaruvchi impuls.

Tranzistorlar ulangandan so‘ng dinistor ochiladi va tok I faqat tashqi zanjir qarshiligi bilan chegaralanadi. Ochiq asbobdagi kuchlanish pasayishi 1V dan kichik bo‘lib, taxminan oddiy dioddagi kuchlanish tushishiga teng. Dinistorning VAXi 23.5a-rasmda, impuls ulanish sxemasi esa 23.5b-rasmda ko‘rsatilgan.

23.5-rasm. Zanjirni uzish (a), dinistomi shuntlash (b), anod tokini kamaytirish (d), teskari kuchlanish berish (ye) bilan dinistomi o‘chirish usullari