30. Bipolyar tranzistorlar
Boshqariladigan r-p o‘tishli maydonli tranzistor
Yüklə 0,53 Mb. Pdf görüntüsü
|
|
Boshqariladigan r-p o‘tishli maydonli tranzistor p
+ yoki r- o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristalldan tayyorlanadi. Kristallning qarama-qarshi tomonlaridan ulanish uchlari chiqarilib, ulardan biri chiquvchi (istok), ikkinchisi yutuvchi (stok) deb ataladi. CHiquvchi va yutuvchi oralig‘iga diffuziya usuli bilan r-soha (p-o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristallda) joylashtiriladi. Natijada kristallning shu qismida r-p o‘tish vujudga keladi. Tranzistorning chiquvchi va yutuvchi oralig‘iga E 2 batareya shunday ulanadiki, natijada asosiy tok tashuvchilar chiquvchidan yutuvchi tomonga harakatlanadi. Tok tashuvchi zaryadlar bunda r-p o‘tish orqali emas, balki uning yonidan kanal bo‘ylab oqadi. Ikkinchi E 1 tok manbaini chiquvchi va zatvor oralig‘iga teskari r-p o‘tish hosil bo‘ladigan qilib ulanadi. Natijada r va p- sohalar orasida mavjud bo‘ladigan berkituvchi qatlam kengayadi. Bunda zatvor sohasida zaryadlar konsentratsiyasi kanalga nisbatan katta bo‘lganligidan kambag‘al sohaning kengayishi asosan kanal hisobiga ro‘y beradi. Natijada tok o‘tkazuvchi kanalning ko‘ndalang kesimi kamayadi va shunga muvofiq uning qarshiligi ortadi. Bu esa o‘z navbatida kanal orqali o‘tuvchi tokning kamayishiga olib keladi. 22.1 – rasmda bu kanal shaklining o‘zgarishi uzlukli chizivlar vositasida ifodalangan. SHunday qilib, zatvor tranzistorda boshqaruvchi elektrod bo‘lib xizmat qiladi. Tranzistor orqali o‘tuvchi tok nolga teng yoki ma’lum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-chiquvchi kuchlanishi ajratish kuchlanishi deb ataladi. r-kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish musbat bo‘lib, odatda 0,2 – 7 V oralig‘ida bo‘ladi. 22.1 – rasm. Boshqariladigan r-p o‘tishli maydon tranzistori Hozirda maydonli tranzistorlar ikki zatvorli qilib chiqarilmoqda (22.1b – rasm). Ikkinchi zatvor ko‘pincha birinchi zatvorga ulab qo‘yiladi va u kanalni pastki tomonidan cheklaydi. Maydon tranzistorining VAT i 22.2 – rasmda keltirilgan. 22.2 – rasm. Boshqariladigan r-p o‘tishli maydon tranzistorining chiqish tavsiflari Maydonli tranzistorlarning shartli belgilanishlari 22.2 – rasmda keltirilgan. З Ч Ю n - каналли а) n - каналли Асос Ч З Ю (З г )n б) Ю n - каналли ~ З 1 Р + Р + З 2 R H Ч - + Е 1 - + Е 2 в) U ЮЧ 20 30 U ЮЧ , В I Ю (мА) 30 20 10 I Юб I Ю Чизиқ ли соҳ а Тўйиниш соҳ аси Д А U ЗЧ = 0 - 2,5 В - 5 В - 7 В I Ю I Ю , мА мкА U ЗЧ U ЧЮ ёриб ўтиш ажр. 30 20 10 - 7,5 -5 0 U ЗЧ , В 22.3 – rasm. Maydon tranzistorlarning shartli belgilanishi: a – r- kanalli, b – p- kanalli, v – zatvorli izolyasiyalangan p- kanalli, g – zatvori izolyasiyalangan r- kanalli, d – zatvori izolyasiyalangan p- kanalli to‘yingan, e – zatvori izolyasiyalangan r- kanalli to‘yingan Ю Ю Ю З 2 З 2 а) в) д) Ю Ю Ю З 2 З 2 З Ч З Ч З б) г) е) Yüklə 0,53 Mb. Dostları ilə paylaş:
|