Maydonli tranzistorlar

---

Maydonli tranzistorlar 
Tranzistor 1948-yilda amerikalik olimlar U. Shokli, D. Bardin, U. Bratteyn, 
tomonidan ixtiro qilingan. Tranzistor so’zi inglizcha trans-uzatish va resistor-
qarshilik degan so’zlaridan olingan bo’lib, qarshilikni uzatish degan maʻnoni 
anglatadi. Ular barcha Elektronika va signallarni qayta ishlash qurilmalarining 
asosini tashkil etadi. Tranzistor elektr signallarini kuchaytirish generatsiyalash va 
boshqa ko’pgina maqsadlarda qo’llaniladi.
Tranzistorlar tuzilishi va ishlash tamoyiliga qarab biqutbiy (bipolyar) va 
unipolyar (maydon) tranzistorlarga bo’linadi. Unipolyar tranzistorlar maydon 
tranzistorlari deb ham ataladi. Bipolyar tranzistorlarni ishlashi p – n o’tish 
hodisasiga, maydon tranzistorlarining ishlashi esa bir turdagi o’tkazuvchanlikka ega 
bo’lgan Yarim o’tkazgichning o’tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida 
boshqarishga asoslangan. 
Bipolyar tranzistor deb 2 ta o’zaro taʻsirlashadigan p – n o’tishdan tashkil 
topgan yarim o’tkazgichli asbobga aytiladi. U Yarim o’tkazgich kristalida 2 ta p – n 
o’tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Tranzistorni o’tkazuvchanligi almashib 
keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Bipolyar tranzistorlar strukturasiga qarab p 
– n – r va n - p – n turli tranzistorlarga ajratiladi. 3 qatlamdan tashkil topgan 
tranzistorning har bir sohasining nomi bor: chap chekka soha emitter deb, o’ng 
chekka soha kollektor deb o’rtadagi soha esa baza deb ataladi (8.1-rasmga qarang).
8.1-rasm. 
p – n – r tranzistorni to’g’ri n - p – n tranzistorni esa teskari tranzistor deb atash 
qabul qilingan. Bu tranzistorlarning ishlash tamoyili bir xil bo’lib, faqat elektr 
sxemaga ulanishi bilan farqlanadi. p – n – r tranzistorda asosiy tok tashuvchilar 
kovaklar, 
n-p-n 
tranzistorda 
asosiy 
tok 
tashuvchilar 
elektronlar 
hisoblanadi.Tranzistorlar radiosxemada ishlatilganda uning elektrodlaridan biri 
zanjirning kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy bo’lgan simga, korpusga ulangan 
bo’ladi. Shunga ko’ra tranzistorlarni uch xil ulanish sxemasi mavjud.
Umumemitter (UE) ulanish sxemasi
Umumbaza (UB) ulanish sxemasi
Umumkollektor (UK) ulanish sxemasi
Bu ulanishlar ichida UB sxema tranzistorlarning xususiyatlarini tekshirishda 
eng qulay hisoblanadi. Shuning uchun tranzistorlarning asosiy kattaliklari va 
tavsifnomalari Shu sxema asosida tekshiriladi va qolgan ikki ulanish sxemasiga
tadbik etiladi. 8.2-rasmda tranzistorning UB sxemasida ulanishi tasvirlangan. endi 

---

tranzistor yordamida elektr signalini kuchaytirish printsipi bilan tanishaylik. 
Rasmda p–n–r tranzistorni umumiy baza bo’yicha ulanish sxemasi keltirilgan. 
Tranzistorda 2 ta p–n o’tish mavjud. Birinchi p–n o’tish emitter, baza o’rtasida, 
ikkinchisi esa baza – kollektor o’rtasida joylashgan. Shuning uchun tranzistorni 
ikkita bir-biriga qarama-qarshi ulangan 2 ta dioddan tashkil topgan qurilma deyish 
ham mumkin. YOki yuqorida taʻkidlanganidek, tranzistorni 2 ta r-n o’tishdan 
tuzilgan asbob deyish mumkin. Birinchisi emitterli p–n o’tish, ikkinchisi esa 
kollektorli p–n o’tish deyiladi. 
Sxemadan ko’rish mumkinki, birinchi p–n o’tishga to’g’ri kuchlanish, ikkinchi 
p–n o’tishga teskari kuchlanish qo’yilgan. Teskari kuchlanishning qiymati, to’g’ri 
kuchlanish qiymatiga qaraganda bir necha marta katta. To’g’ri kuchlanish taʻsirida 
p–n o’tish orqali emitterdan baza tomon kovaklar oqimi asosiy tokni hosil qiladi. 
Bu tokni 
Э
I
- emitter toki deyiladi. emitterda asosiy tok tashuvchilar – kovaklardir. 
Kovaklar bazaga o’tgach, qisman bazadagi asosiy tok tashuvchilar – elektronlar 
bilan rekombinatsiyalashadi. Odatda tranzistorni yasash vaqtida baza qalinligi 
boshqa sohalarga qaraganda yupqa qilib yasaladi. Shuning uchun emitterdan bazaga 
o’tgan kovaklarning taxminan bir foizigacha bazadagi elektronlar bilan 
rekombinatsiyalashadi. Kovaklarning qolgan qismi hech qanday qarshilikka
uchramay bazadan kollektorga o’tadi. Maʻlumki 2 - p – n o’tishga teskari kuchlanish 
berilgan. Bu kuchlanish taʻsirida kovaklar bazadan kollektorga o’tib, 
k
I - kollektor 
tokini hosil qiladi. Yuqoridagi mulohazalarga asoslanib kollektor tokini taxminan 
emitter tokiga teng deyish mumkin. (
э
k
I
I

). Agar tranzistorning emitter 
zanjiridagi kuchlanish biror qonuniyat asosida o’zgarib tursa, unga mos ravishda 
emitter tokining qiymati 
э
I
ham o’zgaradi. emitter tokining o’zgarishi esa, kollektor 
tokining o’zgarishiga olib keladi. Kollektor zanjirdagi 
Н
R
- yuklama qarshi-ligida 
kuchlanish tushishining qiymati quyidagiga teng bo’ladi. 
H
k
чик
R
I
U

Emitter 
zanjiriga beriladigan o’zgaruvchi kuchlanish esa 
кир
э
кир
R
I
U

shaklda yozish 
mumkin. Bu erda 
кир
R
- zanjirning kirish qismining qarshiligi. Tranzistorning emitter 
o’tishiga beriladigan to’g’ri kuchlanish (emitter-baza kuchlanishi) emitter va 
kollektor tokiga kuchli taʻsir etadi. emitter-baza kuchlanishi qancha katta bo’lsa, 
- 
- 
+ 
+ 
E