Maydonli tranzistorlar

Tiristorlar. 
Tiristor deb to’rt qatlamli 3 ta r-p o’tishdan tashkil topgan yarim o’tkazgichli 
asbobga aytiladi. Tiristorda turli xil o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan yarim 
o’tkazgichli qatlamlar ketma-ket ulanadi. Uning tuzilishi 9.4–rasmda ko’rsatilgan.
Tiristorlar uzib-ulovchi diodlar bo’lib, avtomatika, radioaloqa va Elektronika 
va signallarni qayta ishlashning ko’p sohalarida qo’llaniladi.
Tiristorlarning turlari ko’p bo’lib, ularni uch guruhga bo’lish mumkin: 
dinistorlar, trinistorlar va simistorlar. Diodli tiristorlar denistor deb, triodli tiristorlar 
esa trinistor deb ataladi. Simistorlar ko’pincha simmetrik tiristorlar deb ham ataladi. 
Tiristorlarning radiosxemada belgilanishi quyidagicha bo’ladi:
a) b) v) 
9.6-rasm. a)-dinistor. b) va v) mos ravishda katod bo’yicha va anod bo’yicha 
boshqariladigan trinistorlar. 
9.5-rasmda o’ng tomondagi r
2
-qatlam anod, chap tomondagi n
1
qatlam –katod, 
n
2
–qatlam boshqaruvchi elektrod yoki baza deb ataladi. Tashqi kuchlanish tiristor 
anodi bilan katodi orasiga beriladi. Manbaning musbat qutbi anodga, manfiy qutbi 
esa katodga ulanadi. Bunda kuchlanishning kichik qiymatlarida P
1
va P
3
r- n 
o’tishlar to’g’ri, P
2 
r- n o’tish esa, teskari yo’nalishda ulangan bo’ladi. Shuning 
uchun tashqi kuchlanishni to’liq P
2
r- n o’tishga qo’yilgan deb qarash mumkin. U 
yopiq bo’lgani uchun tiristordan o’tadigan tok juda kichik bo’ladi. Tiristorning 
qarshiligi ana Shu yopiq P
2
o’tish qarshiligi bilan aniqlanadi. Tiristor atamasi 
grekcha thyra(tira ) so’zidan olingan bo’lib, o’zbek tiliga o’girganda “eshik” degan 

---

maʻnoni beradi. Tiristorning tipik volt-amper xarakteristikasi (VAX) 9.7 - rasmda 
keltirilgan. Tiristorning VAXi yordamida uning ko’pgina parametrlarini aniqlash 
mumkin. Uning xarakteristikasida manfiy qarshilikli soha mavjud. 
9.7-rasm. 
Tiristorning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi: 
1. Tiristorning ulanish kuchlanishi yoki yoqilish kuchlanishi 
ул
U
; 
2. Tiristorning ochiq holatidagi maksimal tok kattaligi; 
3. Tiristorning differentsial qarshiligi. 
Mikrosxemalar haqida maʻlumot. 

Dastlabki (1955-1960 yillargacha) radiosxemalar va barcha elektron 
qurilmalar faqat elektron lampalar asosida ishlar edi. Fan va texnikaning rivojlanishi 
bilan ularning soni va turlari ortib bordi. Keyinchalik elektron asboblarning 
chidamliligi, uzoq muddatga ishonchli xizmat qilishini taʻminlagan holda ularning 
hajmlarini kichraytirish, massasi va isteʻmol quvvatini kamaytirishga harakat qilina 
boshlandi. O’tgan asrning oltmishinchi yillaridan boshlab radioelektron 
qurilmalarda elektron lampalar (elektrovakuumli asboblar) o’rnini Yarim 
o’tkazgichli asboblar egallay boshladi. Yarim o’tkazgichli asboblar barcha 
ko’rsatgichlari bo’yicha istiqbolli ekanligini ko’rsatdi. Keyinchalik barcha 
radioqurilmalar Yarim o’tkazgichli asboblar asosida yig’ila boshlandi. 
Maʻlumki, zamonaviy radioelektron qurilmalar ko’p sondagi elektron va yarim 
o’tkazgichli asboblardan tashkil topgan. Fan va texnikaning rivojlanishi natijasida 
ularning sifat ko’rsatgichlari yaxshilanib, tuzilishi takomillashib bordi. 
Radioelektron qurilmalarning mustahkamligi, ishonchliligi, uzoq muddat ishlashi va 
boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularni o’lchamlarini kichraytirish, massasi va 
sarf qiladigan quvvatini kamaytirish kabi muammolarni hal etish o’sha paytda 
nihoyatda dolzarb edi.
Yarim o’tkazgichlar fizikasining rivojlanishi natijasida 20-asrning 60-
yillaridan boshlab, elektron sanoatida yarim o’tkazgichli asboblarning maʻlum 
kombinatsiyadagi (muayyan sxemasi) sistemasini bir qobiqqa joylashtirish 
imkoniyati yaratildi. Bunday asboblar modul sxemalar yoki mikromodullar deb 
ataladi. Ularda o’ta ixcham qobiqsiz yarim o’tkazgichli asboblar plyonkali 
kondensator va rezistorlar maʻlum sxema asosida bir qobiq ichiga yig’iladi va 
muayyan elektron qurilmaning to’liq sxemasini tashkil etadi. Ana Shunday asboblar 

---

mikrosxemalar deyiladi va ular integral texnologiya asosida ishlab chiqariladi. 
Boshqacha qilib aytganda, integral mikrosxema - (IMS) bu – mikroelektron asbob 
bo’lib, undagi passiv va aktiv elementlar yarim o’tkazgich sirti yoki hajmida integral 
texnologiya asosida zich qilib joylashtirilgan qurilma hisoblanadi. IMSlarning 
asosiy xususiyati shundan iboratki, ular tugallangan uzel bo’lib, murakkab 
radiotexnik amallarni (maʻlum bir aniq vazifani) bajaradi. U kuchaytirgich, 
generator, trigger, registr va boshqa Shunga o’xshash murakkab elektron qurilma 
bo’lishi mumkin.
Dastlab ishlab chiqarilgan mikrosxemalarning 1sm
3
hajmida 5-10ta element 
(tranzistor, diod, rezistor va h.k) qatnashib, ular elektron qurilmaning tugallangan 
sxemasini tashkil qilar edi. Keyinchalik Elektronika va signallarni qayta ishlash 
qurilmalarda yarim o’tkazgichli va yupqa pardali integral mikrosxemalar keng 
qo’llanila boshlandi. Ular elektron qurilmaning umumiy hajmini 20 000 martadan 
ortiq kichraytirish imkonini beradi. 
IMS ning barcha elementlari bir-biri bilan o’zaro elektrik bog’langan bo’ladi. 
Yuqorida taʻkidlangandek, ulardagi aktiv va passiv elementlar bir-biri bilan shunday 
tutashganki, natijada u bir butun elektron qurilmaning sxemasini aks ettiradi va aniq 
vazifani bajaradi.
IMS ning murakkabligi uning tarkibidagi yaʻni u tayyorlangan yarim 
o’tkazgich kristallida nechta element joylashganligi bilan belgilanadi. Shunga ko’ra 
mikrosxemalar integratsiya darajasi deb aytiladigan kattalik bilan xarakterlanadi. 
Masalan, mikrosxemadagi elementlarning soni 100 tagacha bo’lganlari ikkinchi 
darajali mikrosxema; elementlar soni 100-10 000 bo’lgan IS lar uchinchi darajali 
yaʻni katta integral sxema KIS deb ataladi. 10 000 va undan ortiq elementga ega 
bo’lgan mikrosxemalar esa o’ta katta integral mikrosxemalar (O’KIS) deyiladi.
Integratsiya darajasi yuqori bo’lgan ISlar asosan EHMlar, radioaloqa, 
robototexnika va telekomunikatsiya tizimlarida qo’llaniladi. IMSlar integratsiya 
darajasini oshirish va undagi elementlar o’lchamlarini kichraytirishning ham 
chegarasi bor. Bir necha o’n ming elementni bir sxemaga birlashtirish texnologik 
jihatdan murakkab bo’lib, iqtisodiy jihatdan ham maqsadga muvofiq emas. Shuning 
uchun bunday muammolar funktsional mikroelektronika deb ataladigan fan 
sohasida hal etiladi. Unda qurilmaning biror funktsiyasini bajarish standart
elementlar yordamida emas, balki qattiq jism hajmida yuz beradigan fizik jarayonlar 
asosida bajariladi.
IMS lar konstruktiv jihatdan tugallangan kichik o’lchamli elektron qurilma 
bo’lib, elektr signallarni kuchaytirish, generatsiyalash yoki o’zgartirish uchun 
mo’ljallangan. Ular ko’pincha Yarim o’tkazgich kristalidan iborat bo’lib, unda 
alohida uchastkalar aktiv elementlarga yoki passiv elementlarga ekvivalent bo’ladi.
Mikrosxemalar to’g’ri to’rtburchak yoki maʻlum diametrli metall yoki 
plasmassa korpusga joylashtirilgan bo’ladi. IMS lar kichik o’lcham va massaga ega 
bo’lishi, kam sarflashi va yuqori ishonch bilan ishlashi, tezkorliga va boshqalar 
ularning afzalligidir.

---

Tayyorlash texnologiyasi bo’yicha IMS lar plyonkali (yupqa pardali) yarim 
o’tkazgichli va gibrid mikrosxemalarga bo’linadi. Yarim o’tkazgichli IMSlarda 
hamma elementlar va ularning birikmalari yarim o’tkazgichli sirtida yoki hajmida 
yig’iladi. 
Gibrid MS lar quydagilar bilan farqlanadi: ularda elementlarning bir qismigina 
integral texnologiya usulida bajariladi, qolgan elementlar (odatda aktiv elementlar) 
esa bir-biridan mustaqil bajariladi. Yarim o’tkazgichli, plyonkali gibrid, (duragay) 
va birlashtirilgan (qo’shma) IMSlar eng ko’p qo’llaniladigan mikrosxemalardir. 
Yarim o’tkazgichli MSlarda ko’pincha yarim o’tkazgich sifatida kremniy 
kristalli olinadi. U MSni asosini tashkil etadi va taglik (podlojika) deb ataladi. 
Kristallga fotolitografiya usuli yordamida muayyan sxemaning relefi (ko’rinishi) 
tushiriladi. Bunda kristallda p-n o’tishlar hosil qilish yo’li bilan sxemaning passiv 
va aktiv elementlari joriy qilinadi Yarim o’tkazgichli IMSlar ko’p to’plamli qilib 
yasaladi. Har bir to’plamga bir vaqtda juda ko’p MS joylashadi. Masalan: diametri 
76 mm bo’lgan birta plastinkaga 5000 tagacha mikrosxema joylashishi mumkin . 
Uning har birida 10 tadan 20 000 tagacha elektron element qatnashadi.
Plyonkali (pardasimon) IMS lar 2 turga bo’linadi: yupqa plyonkali va qalin 
plyonkali . Shuningdek ular yasalish texnologiyalari bilan farqlanadi. 
Plyonkali IMS dan faqat passiv elementlar-rezistorlar, kondensatorlar va 
induktivlik g’altagi yasaladi. Qo’shma IMSda aktiv elementlar Yarim o’tkazgichli 
MS dagi passiv elementlar esa plyonkali mikrosxemalardagi kabi yasaladi. Ular 
umumiy taglik bilan himoyalangan holda joylashtiriladi. Barcha IMS lar germetik 
qobiqqa o’ralgan bo’lib, undan sxemada tutashtirish uchlaridan elektrodlar 
chiqariladi. IMS larda faqat passiv elementlar-rezistor va kondesator taglik sirtiga 
o’tkazuvchan va himoyalovchi (dielektrik) moddalarni purkash yoki plyonkalar 
qatlami sifatida joylashtirish yo’li bilan hosil qilinadi.
Mikrosxemalarni turlarga ajratishda juda ko’p belgilarga asoslaniladi. 
Materialning turi, elementlarning soni, funktsional bog’lanish, qanday maqsadga 
xizmat qilishi, ishlab chiqarish texnologiyasi va boshqalar. Masalan, mikrosxemalar 
bajaradigan vazifasiga qarab kuchaytirgich, generator, va mantiqiy elementli 
mikrosxemalarga, ishlab chiqarish texnologiyasiga qarab esa Yarim o’tkazgichli, 
plyonkali, duragay mikrosxemalarga bo’linadi. Integral mikrosxemalar funktsional 
bog’lanishiga qarab mantiqiy va analogli IMS larga bo’linadi. Integral 
mikrosxemalar hozirgi zamon elektronikasining eng muhim tashkil etuvchi tarkibiy 
qismidir.
Analogli mikrosxemalar uzluksiz signallarni kuchaytirish, generatsiyalash va 
o’zgartirish uchun ishlatiladi. Raqamli IMSlar esa diskret funktsiya qonuni bo’yicha 
o’zgaradigan signallarni o’zgartirish hamda ularga ishlov berish uchun 
mo’ljallangan.
Hozirgi zamon raqamli integral mikrosxemalari (IMS) – bu juda kichik 
elektron blok bo’lib, maxsus korpus ichiga joylashtirilgan ko’p sonli aktiv va passiv 
elementlardan tashkil topgan qurilmadir.

---

Katta mikrosxemalar ichidagi aktiv elementlar soni 100 mingta etishi mumkin. 
Bitta katta mikrosxema EHM, mikroprotsessorlar yoki mikrokalkulyatorlarni butun 
bir blokining funktsiyasini bajarishi mumkin.