kollektor toki ham Shuncha katta bo’ladi. Shunday qilib, emitter-baza kuchlanishi
kollektor tokini boshqaradi. Tranzistor yordamida elektr
signallarini kuchaytirish
ana
Shu
hodisaga
asoslangan.
8.2-sxemadan
tranzistorda
yig’ilgan
kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsienti K ni quyidagicha topamiz.
кир
H
кир
э
H
k
кир
чик
R
R
R
I
R
I
U
U
К
(2.3)
Demak tranzistorda yig’ilgan kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsienti
kirish va chiqish zanjirlarini qarshilaklari nisbatiga bog’liq ekan. Teskari n-r-n
turdagi tranzistorlarning ishlashi ham r-n-r turdagi tranzistorlarnikidek bo’lib, faqat
elektr sxemaga ulanganda manba qutblari teskarisiga ulanadi. Shuning uchun
bunday tranzistorlar teskari tranzistorlar deb ataladi. Bunday turdagi tranzistorlarida
yuz beradigan fizikaviy jarayonlarni ham batafsil ko’raylik.
n-r-n turdagi
tranzistorlarda asosiy tok tashuvchilar elektronlar hisoblanadi. Tranzistorning
emitter-baza orasiga berilgan kuchlanish oshganda, emitter o’tishdagi potentsial
to’siq kamayadi. Natijada emitter toki ortadi. Bu tokni hosil qiladigan elektronlar
emitterdan bazaga diffuziya tufayli injektsiyalanadi va baza sohasi orqali o’tib,
kollektorli o’tish tomon harakatlanadi. Kollekorli o’tishga
kuchlanish teskari
yo’nalishda qo’yilgan. Shuning uchun bu o’tish chegarasida hajmiy zaryad paydo
bo’ladi. Ular orasida elektr maydoni yuzaga keladi. Bu maydon emitterdan kelgan
elektronlarni kollektor o’tish sohasiga tortadi.va natijada kollektor toki oshadi. Agar
baza qalinligi etarlicha kichik bo’lsa va unda kovaklar kontsentratsiyasi uncha ko’p
bo’lmasa, baza orqali o’tadigan elektronlar bazadagi kovaklar bilan
rekombinatsiyalashishga ulgura olmaydi. Natijada bu elektronlarlar kollektorli
o’tishga etib keladi. Bazada uncha ko’p bo’lmagan elektronlargina
rekombinatsiyalashadi. Bazada elektronlarning rekombinatsiyasi
natijasida juda
kam miqdorda baza toki hosil bo’ladi. Barqarorlashgan rejimda bazadagi kovaklar
soni o’zgarmas bo’ladi. Chunki bazada har sekundda qancha kovak yo’qotilsa,
bazadan E
1
manbaning musbat qutbi tomon ketadigan elektronlar hisobiga huddi
Shuncha miqdorda kovaklar paydo bo’ladi. Agar emitterdan bazaga tomon
harakatlanadigan maʻlum sondagi elektronlar bazada kovaklar bilan
rekombinatsiyalashib
kollektorga etib boraolmasa, u holda Shunday sondagi
elektronlar bazadan(
б
i
-baza tokini hosil qilib) chiqib ketishi lozim. Shu sababli
kollektor toki emitter tokidan bir oz bo’lsada kam bo’ladi. Kirxgofning 1-qoidasiga
asosan emitter toki kollektor va baza toklarining yig’indisiga teng bo’ladi.
Б
k
Э
i
i
i
Baza toki foydasiz hisoblanadi. Uning miqdori iloji boricha juda kam bo’lishi
lozim. Haqiqatda baza toki
б
i
«
э
i
emitter tokiga nisbatan juda kichik bo’lganligi
uchun emitter tokini kollektor tokiga deyarli teng deb hisoblash mumkin. Kollektor
o’tishga hech qanday kuchlanish qo’yilmasa, unda bu o’tishdan o’tadigan tok
kattaligini nolga teng deyish mumkin. Bu holda kollektor o’tish
sohasining
o’zgarmas tokka ko’rsatadigan qarshiligi juda katta bo’ladi. Bu o’tish sohasidan
asosiy tok tashuvchilar uzoqlashadi. Kollektor o’tish orqali bir-biriga qarama-qarshi
yo’nalgan juda kam miqdorda asosiy bo’lmagan teskari tok o’tadi (bu tok r-sohadan
keladigan elektronlar va n sohadan keladigan kovaklar hisobiga yuzaga keladi). Bu
tok haroratga bog’liq bo’ladi. Agar kirish kuchlanishi taʻsirida emitter toki yuzaga
kelsa, u holda emitter sohasidan bazaga bu soha uchun asosiy bo’lgan elektronlar
injektsiyalanadi. emitter tokining ortishi bazada emitterdan injektsiyalangan , baza
sohasi uchun asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar kontsentratsiyasi ortadi. Bu tok
tashuvchilar soni qancha ko’p bo’lsa, kollektor toki shuncha ko’p bo’ladi.
Modomiki, tranzistorda emitter toki, kollektor
toki va baza toklarining
yig’indisiga teng ekan, unda emitter tokining orttirmasi ham kollektor va baza
toklari orttirmalarining yig’indisiga teng bo’ladi.
Tranzistorning muhim xossalaridan biri uning toklari orasidagi taqriban
chiziqli bog’lanish
hisoblanadi, yaʻni tranzistorning Shu uchta toki bir-biriga
nisbatan proportsional bo’ladi.
Tranzistorning emitterli va kollektorli o’tishlariga beriladigan kuchlanishga
bog’liq holda u uch xil rejimda ishlashi mumkin: aktiv, to’yinish va kesish rejimlari.
Tranzistor aktiv rejimda ishlaganda uning emitterli o’tishiga kuchlanish to’g’ri
yo’nalishda, kollektor o’tishga teskari yo’nalishda kuchlanish beriladi.
Tranzistorning kesish yoki yopilish rejimida ikkala o’tishga ham kuchlanish teskari
yo’nalishda beriladi. Tranzistor to’yinish rejimida ishlaganda, uning ikkala o’tishiga
ham kuchlanish to’g’ri yo’nalishda beriladi. Tranzistorning aktiv rejimi asosiy
hisoblanadi. Bu rejim ko’pgina kuchaytirgich va generatorlarda qo’llaniladi.
Tranzistorning yopilish va to’yinish rejimlari uning
impulsli ish jarayonida
qo’llaniladi. Masalan, tranzistorlarning yopilish va to’yinish ish rejimidan
avtomatika va hisoblash texnikasi qurilmalarida foydalaniladi.
8.3-rasm. Umumbaza sxemasida ulangan bipolyar tranzistorning ekvivalent
sxemasi.
Tranzistorlarda yuz beradigan jarayonlarni o’rganishda uning ekvivalent
sxemasidan foydalaniladi. Umumbaza sxemasida ulangan
bipolyar tranzistorning
ekvivalent sxemasini asbobning strukturasi va uning ishlash printsipini hisobga
olgan holda qurish mumkin. Tok manbai va EYUK manbaiga ega bo’lgan bunday
sxema 8.3-rasmda keltirilgan. Rasmda r
E
- element emitter o’tishning to’g’ri
Dostları ilə paylaş: