1948 y. D.Bardin va V.Bratteyn nuqtali n-p o‘tishlar bilan ishlab turib, ikki n-p o‘tishli qurilma quvvati bo‘yicha elektr tebranishlarni kuchaytirish qobiliyatiga egaligini guvohi bo‘lishdi. Bu qurilmani ular tranzistor deb atashdi (“Transfer” - o‘zgartiruvchi va “resistor” - qarshilik – ingliz so‘zlaridan olingan). Bugungi kunda bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va uch yoki undan ko‘p uchlari bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob tranzistor deb nomlanadi(8.1-rasm).
8.1-rasm. Yarimo’tkazgichli tranzistorlar. Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq, garchi nuqtali tranzistorlar oldin paydo bo‘lishiga qaramasdan, ularning nostabil ishlashi shunga olib kelindiki, bugungi kunda faqat yassi tranzistorlar ishlab chiqariladi. Yassi tranzistor yarim o‘tkazuvchining monokristalli bo‘lib, unda ikki hudud bir tipdagi
o‘tkazuvchanlikka ega, qarama-qarshi tipdagi o‘zgaruvchanlikka ega bo‘lgan hudud bilan bo‘lingan. Bu asboblarni asosiy vazifasi elektr tebranishlarni kuchaytirish yoki generatsiyalashdan iborat. Oddiy p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistorlar quyidagi rasmlarda o‘z aksini topgan (8.1.20-rasm).
8.2-rasm. p-n-p o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistor
8.2-rasm. n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistor Tranzistorlar maksimal ishchi chastotaga qarab quyidagilarga bo‘linadi.
Past chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =3-30 mGs :
Yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =30-300 mGs :
O’ta yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =300 mGs :
Bulardan tashqari qanday quvvatda ishlay olishiga qarab kichik quvvatli tranzistorlar R=0,3 Wt gacha; o‘rtacha quvvatli tranzistorlar R=0,3-3,0 Wt gacha; va katta quvvatli tranzistorlar R=3,0 Wt dan yuqori quvvatlarga bo‘linadilar.
Yarim o‘tkazgichli triod elektron asboblarining bir turi bo‘lib, tranzistor deb ataladi. Tuzulishi va ishlash usuliga qarab tranzistorlar bipolyar va unipolyar tranzistorlarga ajratiladi.
Bipolyar tranzistorlarning ishlashi p-n o‘tish hodisasiga, unipolyar tranzistorning ishlashi esa, bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishiga asoslangan.
Bipolyar tranzistor yarim o‘tkazgich monokristalda ikkita p-n o‘tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Uni o‘tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Agar monokristallning hajmi bilan chegaralangan bo‘lsa, hosil bo‘lgan yassi tranzistor p-n-p turdagi tranzistor deyiladi. Aksincha, kovak o‘tkazuvchanlik soha orasida bo‘lsa n-p-n turdagi tranzistor hosil bo‘ladi. Bu tranzistorlarning sxemada belgilanishi va potensial to‘sig‘ining ko‘rinishi 8.3-rasmda ko‘rsatilgan.
8.3-rasm. tranzistorlarning sxemada belgilanishi va potensial to‘sig‘ining ko‘rinishi Unipolyar tranzistorlar Unipolyar tranzistor elektr maydoniga ega bo‘lgan tranzistor bo‘lib, tok bir turdagi asosiy tok tashuvchi hisobiga hosil qilinadi.
Elektr maydoniga ega bo‘lgan yoki “maydon”li so‘zning mohiyati shundan iboratki, unipolyar tranzistor chiqish toki boshqaruvchi elektrodning kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon orqali boshqarilishini bildiradi. Unipolyar tranzistorlarning sxemada belgilanishi 8.1- jadvalda keltirilgan.
(8.1- jadval)
-Tiristorlar to‘rt qatlamli, ya’ni uchta p-n o‘tishli yarim o‘tkazgich asbobdir.
Chetki p-qatlam anod n-qatlam – katod deb ataladi. Ichki p va n-qatlamlar
boshqaruvchi elektrodlar yoki ba‘za deyiladi