Analog imslar. Barqaror tok generatori (btg) sxemasi Darlington juftligi. Uilson tok kо‘zgulari sxemasi

K_U S(R_K // r_KE)
Ideal DKlarda sinfaz signallarni sо‘ndirish natijasida nol dreyfi mavjud bо‘lmaydi. Turli temperatura о‘zgarishlari, shovqinlar va navodkalar sinfaz signal bо‘lishi mumkin. Real DKlarda yelkalarning absolyut simmteriyasiga erishish mukin emas, shuning uchun nol dreyfi mavjud bо‘lib, u juda kichik qiymatga ega bо‘ladi. Differensial kirishda, ya’ni kirish simmetrik bо‘lganda, DK kirish qarshiligi sxemaning chap va о‘ng yelkalari kirish qarshiliklari yig‘indisiga RKIR1 RKIR2 teng bо‘ladi, chunki bu qarshiliklar signal manbaiga nisbatan ketma – ket ulanadi. Shunday qilib, RKIR12  RKIR1 RKIR2 2rKIR, bu yerda rKIR - UE sxemasida ulangan tranzistorning kirish qarshiligi. r_KIR kattaligi tranzistorning sokinlik toki Ib ga bog‘liq bо‘ladi. Shuning uchun kirish signalini oshirish uchun kuchaytirgichni kichik toklar rejimida ishlatish kerak.
Differensial kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsiyenti kirish signallar generatorining ulanish va chiqish signalining о‘lchanish usuliga bog‘liq.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti simmetrik kirishda ham, nosimmetrik kirishda ham bir xil bо‘ladi.
Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi bir uchi bilan bir tranzistor kollektoriga, ikkinchi uchi bilan esa – umumiy shinaga ulanadi. Bu vaqtda K_U simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 martaga kichik bо‘ladi.
Yuklama qarshiligi ikkinchi chiqish va umumiy shina oralig‘iga ulangan bо‘lsin. Agar kirish signali 1 kirishga uzatilsa, u holda chiqish signali fazasi kirish signali fazasiga mos keladi. Bu vaqtda 1 kirishga “inverslamaydigan” kirish nomi beriladi. Agar kirish signali 2 kirishga uzatilsa, u holda chiqish va kirish signallari fazasi bir – biriga qarama – qarshi bо‘ladi va 2 kirish “inverslaydigan” kirish deb ataldi.
Kichik kirish toklariga ega bо‘lgan maydoniy tranzistorlar qо‘llash natijasida differensial kuchaytirgich kirish qarshiligini sezilarli oshirish mumkin. Bu vaqtda r–n bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlarga katta e’tibor qaratiladi. r–n bilan boshqariladigan, kanali n–turli maydoniy tranzistorlarda bajarilgan DK sxemasi 8.9 – rasmda keltirilgan. Barqaror tok generatori VT3 va R_I da bajarilgan. R_SIL1 i R_SIL2 rezistorlari VT1 va VT2 tranzistor zatvorlariga boshlang‘ich siljishni berish uchun mо‘ljallangan.

8.9 – rasm.