Asosiy qism I. Bob yarimo’tkazgichli yorug’lik manbalari va qabul qilgichlari

1.5. Optoelektron asboblarni konstruksiyalari

Optronlarni konstruktiv – texnologik tayorlash funksional, bahosi va boshqa parametrlarini hisobga olgan holda olib boriladi. Asosiy talab effektiv optik aloqani

va ta’minot ma’nba va qabul qiluvchi orasidagi elektr izolyasiyani ta’minlashdir. Optoparalarni tipik konstruksiyalari 2.6.1 – rasmda ko’rsatilgan. Hozirgi payitda qo’llanilayotgan optoparalar gibrid qurilmalar bo’lib, konstruktiv kamchiliklarga kiradi. [25]
Shu bilan birga monolit optojuftlar ishlab chiqarilmoqdaki, yaxlit texnologik jarayonda integral tayorlanadigan qattiq jisimli nurlovchi va qabul qiluchi strukturalarni bolmoqda.
Biroq hozirgacha monolit optronlarni birortasini varianti barcha zaruriy parametrlari: uzoq mudat ishlashi, mustaxkamligi va tashqi faktorlarga chidamliligi bilan yaqinlashishga erishilgani yoq.
Asosiy yechilmagan masalalardan foydalaniladigan materiallarni bir - biriga mos kelmasligi bo’lib qolmoqda.
Har qanday optoelektron mikrosxemasining asosiy elementi optron jupt hisoblanib (2.6.2 - rasm,a, b), yorug’lik nuri 1, boshqariluvchi kirish signali 2, yorug’lik manbai bilan bo’g’langan va fotoqabul qilgich 3 dan iborat. Optron juftlikni parametrlaiga o’zgarmas tok bo’yicha qarshilikni yechilishi, tok uzatish koeffisienti ( qabulqilich fototokini nurlagich tokiga nisbati), almashtirgich vaqti va o’tish sig’imidab iborat.
Optoelektron juftliklar bazasida turli vazifalarni bajruvchi optoelektron mikrosxemalar yaratilmoqda.[26]



2.6.2 -rasm.Opton juftlikni sxemasi va texnologik tayorlanishi: 1 – yorug'lik manbai; 2 – immersionn muxit ; 3 – fotoqabul qilgich.


Optoelektron asboblarni parametrlari

Sodda optron to’rt qutbli asbobdan iborat bo’lganligi uchun uchta: kirish,uzatish va chiqish xarakteristikalarga ega.

Kirish xarakteristika nurlagichni VAX si ifodalaydi. Chiqish – fotopriyomnikka mos xarakteristika( optron kirishiga berilgan tokda). Uzatish xarakteristika – chiqish toki I2oT ni kirish tokiga bog’ligi (ununiy holda nochiziqli).
Tok bo’yicha statik uzatish koeffisienti K I = I2/ I1. Ko’pchilik optronlar uchun KI passport parameti hisoblanadi (diodlilar uchun 0,5 % to tranzistorlilar uchun 100% gacha).
Optronni yig’indi tezkorligi ko’pincha almashinish vaqti tal = t1 + t2 bilan xarakterlanadi, bunda t1 va t2 – vaqtlar optron chiqishida signalni o’sishi va qaytishi. Optronni tezkorligi turli turdagi optronlar uchun birhil bo’lmay , ish rejimiga bog’liq va 10-9 dan 10-1gacha bo’ladi. Tezkorlik yana chegara chastota bilan xarakterlanadi, qaysiki fcheg 5kGs dan 10 MGs oralig’ida yotadi. [27]
Izolyasiya parametrlari: kirish va chiqish orasidagi statik maksimal ruxsat etilgan kuchlanish (o’zgaruvchan signal bilan ishlaganda). Izolyasiyani yuqori qarshiligi – Riz ∿ 1012 Om – tok bo’yicha teskari aloqani yoqatadi. Biroq, o’tish sig’imi Co’t ni ( optronni kirish va chiqish orasida) mavjudligi o’zgaruvchan tok bo’yicha aloqadadandir, ya’ni Δt vaqt ichida chiqishda ΔV2 kuchlanishni sakrashi sig’imli tok I ≈ Cto’g’ ΔV2/ Δt ni hosil bo’lishiga olib keladi. O’tish sig’imini qiymati odatda ∿1 pF tashkil qiladi.