Axborotni almashishni tashkil etish, mikroprotsessor tizimi shinasi va axborotni almashish sikllari, magistral qurilmalari funksiyalari

IMS komponentasi
deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, 
lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. 
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib 
asos turi
hisoblanadi. Bu 
belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi: 
yarim o‘tkazgichli
va 
dielektrik
. 
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy 
arsenidi keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir 
qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi. 
Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim 
o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta 
integrasiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda 
cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyasiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli 
mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyasiyasi, ularning 
xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining 
kengligi. 
7.2. Pardali va gibrid mikrosxemalar 

---

Pardali IS 
– bu dielektrik asos sirtiga surtilgan 
 
elementlari parda 
ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan 
yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi.
 
Parda hosil qilish usuli va unga bog‘liq bo‘lgan qalinligiga ko‘ra 
yupqa 
pardali IS
 
(parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha) va 
qalin pardali IS
(parda qalinligi
 
10 
– 20 mkm gacha va katta
) 
larga bo‘linadi
. 
Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu 
sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) 
dan tashkil topadi.