7
2. GaS:Yb monokristallarının udulma zolağında müşahidə
olunan fotohəssalığa səthyanı struktur və radiasiya
defektlərinin
xarici elektrik sahəsinin təsir xüsusiyyətləri;
3. GaS və GaS:Yb monokristallarının səthyanı oblastda atomlar
arası qarşılıqlı təsirin təbiətinə (səth morfologiyasına)
radiasiya defektlərinin və termik dəmləmə prosesinin təsirinin
İQ spektroskopiya və atom-qüvvə mikroskopu (AQM)
üsulları ilə müəyyən edilməsi.
Tədqiqatın elmi yeniliyi:
1. İlk dəfə təmiz və aşqarlanmış GaS monokristalında səth
defektlərinin təbiəti və konsentrasiyası ilə udulma zolağında
müşahidə olunan fotohəssaslıq arasında korrelyasiya
müəyyən edilmişdir.
2. İlk dəfə laylı GaS monokristalının səthyanı oblastında
hündürlüyü 30÷40 nm və periodikliyi 16 nm olan qeyri-
hamar konusvari səthlərin həndəsi ölçüləri və periodikliyinin
şüalanma dozasından və aşqarlanma səviyyəsindən asılılıq
mexanizmi müəyyən edilmişdir.
3. İlk dəfə müəyyən edilmişdir ki, GaS monokristalında D
γ
<50
krad şüalanma dozalarında struktur və radiasiya defektləri
arasında qarşılıqlı təsir zəif olduğundan məxsusi
fotokeçiricilikdə, laylararası və laydaxili rəqsləri xarakterizə
edən udulma zolağında dəyişikliklər müşahidə edilmir.
4. İlk dəfə müəyyən edilmişdir ki, GaS və GaS:Yb
monokristallarında şüalanma dozasının 50
γ
<200 krad
intervalında struktur və radiasiya defektlərinin qarşılıqlı
təsirinin artması defektlərin yenidən paylanması səbəbindən
udulma zolağında fotohəssaslığın artması və laylararası
rəqslərin zəifləməsi müşahidə olunur.
Dostları ilə paylaş: 
