1-topshiriq tranzistorli quvvat kuchaytirigichining tuzilish sxemasini tuzish va hisoblash



Yüklə 0,67 Mb.
səhifə6/8
tarix28.12.2023
ölçüsü0,67 Mb.
#200911
1   2   3   4   5   6   7   8
Xpar




Rpar

Rpar

RE

Xpar








2

2

c) c) e)


5-rasm. Qarshiliklarni transformatsiyalash uchun G - simon to‘rt qutblilardan foydalanish
Parallel zanjirning qarshiligi faqat aktiv bo‘lishi uchun (5,b-rasm) X`par reaktivlikka parallel, qiymati bo‘yicha unga teng va ishorasi bo‘yicha qarama qarshi Xpar reaktiv qarshilikni ulaymiz (5,c-rasm). Xpar va X`par reaktivliklar juda katta Re ekvivalent qarshiligili parallel tebranish konturini tashkil etadi va demak, 5,v-rasmdagi sxemani Rpar va Re qarshiliklarning parallel ulanishi sifatida tasavvur qilish mumkin (6,d-rasm), chunki, Re>>Rpar bo‘ladi. Binobarin, Re>>Rpar 22 uchlardagi qarshiliklarni taxminan Rpar qarshilikka teng deb hisoblash mumkin. 6,c-rasmdagi sxemada Rpar va X`par parallel ulanishni Xkk i Rkk ketma-ket zanjir bilan quyib Xkk va Xpar elementlardan iborat moslashtiruvchi G-simon to‘rt qutblilini olamiz (5,e-rasm)



6-rasm. G - simon to‘rt moslashtirish zanjiri


Agar olingan to‘rt qutblini 11 klemmalar tomonidan Rkk=R1 qarshilikka yuklansa, uning qarshiligi 22 klemmalar tomonidan Rpar=R2 qarshilikka teng bo‘ladi yoki aksincha. G-simon MZ ning boshqa varianti 6-rasmda ko‘rsatilgan. Bu sxemalar imkoniyatlari chegaralaridagi berilgan moslashtirish har ikkala hollarda yaxshi bajariladi, shuning uchun u yoki bu sxemani tanlash aniq bir loyihalashtirish shartlari orqali aniqlanadi.



Yüklə 0,67 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin